Luis Miguel Nunes Pereira


AuthID: R-000-9RT

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181
TÍTULO: Role of order and disorder in covalent semiconductors and ionic oxides used to produce thin film transistors  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Barquinha, P ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, VOLUME: 89, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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182
TÍTULO: Role of order and disorder on the electronic performances of oxide semiconductor thin film transistors  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Barquinha, P ; Ferreira, I ; Pereira, L ; Goncalves, G; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 101, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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183
TÍTULO: Role of the oxide layer on the performances of a-Si : H schottky structures applied to PDS fabrication
AUTORES: Hugo Aguas ; Luis Pereira ; Daniel Costa; Leandro Raniero; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Symposium on Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology held at the 2006 MRS Spring Meeting in Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology 2006, VOLUME: 910
INDEXADO EM: Scopus WOS
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184
TÍTULO: A study on the electrical properties of ZnO based transparent TFTs
AUTORES: Barquinha, P ; Fortunato, E ; Goncalves, A; Pimentel, A ; Marques, A; Pereira, L ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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185
TÍTULO: Characterization of nanocrystalline silicon carbide films  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Pereira, L ; Hu, Z; Ranieiro, L; Fortonato, E ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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186
TÍTULO: Effect of UV and visible light radiation on the electrical performances of transparent TFTs based on amorphous indium zinc oxide  Full Text
AUTORES: Barquinha, P ; Pimentel, A ; Marques, A; Pereira, L ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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187
TÍTULO: Electrical performances of low temperature annealed hafnium oxide deposited at room temperature
AUTORES: Pereira, L ; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
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188
TÍTULO: Electron transport and optical characteristics in amorphous indium zinc oxide films  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Almeida, P ; Barquinha, P ; Pereira, L ; Pimentel, A ; Ferreira, I ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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189
TÍTULO: Impedance study of the electrical properties of poly-Si thin film transistors  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Raniero, L; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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190
TÍTULO: Influence of the semiconductor thickness on the electrical properties of transparent TFTs based on indium zinc oxide  Full Text
AUTORES: Barquinha, P ; Pimentel, A ; Marques, A; Pereira, L ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
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