Luis Miguel Nunes Pereira


AuthID: R-000-9RT

Publicações Confirmadas: 256



201
TÍTULO: Super linear position sensitive detectors using MIS structures  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Costa, D; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium of the European-Materials-Research-Society on Si-Based Photonics - Towards True Monolithic Integration in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 27, NÚMERO: 5
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202
TÍTULO: Super linear position sensitive detectors using MIS structures  Full Text
AUTORES: Águas, H; Pereira, L ; Costa, D; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 27, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: CrossRef
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203
TÍTULO: Transport in high mobility amorphous wide band gap indium zinc oxide films  Full Text
AUTORES: Martins, R ; Barquinha, P ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 202, NÚMERO: 9
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204
TÍTULO: Zinc oxide thin-film transistors
AUTORES: Fortunato, E ; Barquinha, P; Pimentel, A ; Goncalves, A; Marques, A; Pereira, L ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: NATO Advanced Research Workshop on Zinc Oxide as a Material for Micro- and Optoelectronic Applications in Zinc Oxide - A Material for Micro- and Optoelectronic Applications, VOLUME: 194
INDEXADO EM: WOS CrossRef: 2
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205
TÍTULO: Batch processing method to deposit a-Si : H films by PECVD
AUTORES: Raniero, L; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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206
TÍTULO: Characterization of silicon carbide thin films prepared by VHF-PECVD technology  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Raniero, L; Fortunato, E ; Pereira, L ; Martins, N; Canhola, P; Ferreira, I ; Nedev, N; Aguas, H ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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207
TÍTULO: Characterization of the density of states of polymorphous silicon films produced at 13.56 and 27.12 MHz using CPM and SCLC techniques  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Pereira, L ; Zhang, SB; Ferreira, I ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338
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208
TÍTULO: Characterization of the density of states of polymorphous silicon films produced at 13.56 and 27.12 MHz using CPM and SCLC techniques  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Pereira, L ; Zhang, S; Ferreira, I ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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209
TÍTULO: Effect of an interfacial oxide layer in the annealing behaviour of Au/a-Si : H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Ramos, AR ; Viana, AS ; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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210
TÍTULO: Effect of an interfacial oxide layer in the annealing behaviour of Au/a-Si:H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Águas, H; Pereira, L ; Ferreira, I; A.R Ramos; A.S Viana; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340
INDEXADO EM: CrossRef: 2
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