211
TÍTULO: Effect of annealing on gold rectifying contacts in amorphous silicon
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Ramos, AR ; Viana, AS ; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
212
TÍTULO: Effect of the discharge frequency and impedance on the structural properties of polymorphous silicon  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
214
TÍTULO: Effect of the tunnelling oxide thickness and density on the performance of MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Goullet, A; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
215
TÍTULO: Flexible position sensitive photodetectors based on a-Si : H hetero structures  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pereira, L ; Aguas, H ; Ferreira, I; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, VOLUME: 116, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
216
TÍTULO: Growth of polymorphous/nanocrystalline silicon films deposited by PECVD at 13.56 MHz
AUTORES: Raniero, L; Martins, R ; Aguas, H ; Zang, S; Ferreira, I ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Boufendi, L;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
217
TÍTULO: High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Goncalves, A; Lavareda, G ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Carvalho, CN ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338
INDEXADO EM: WOS
218
TÍTULO: High field-effect mobility zinc oxide thin film transistors produced at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pimentel, A ; Pereira, L ; Goncalves, A; Lavareda, G ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Carvalho, CN ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
219
TÍTULO: High quality conductive gallium-doped zinc oxide films deposited at room temperature  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Assuncao, V; Goncalves, A; Marques, A; Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Vilarinho, P ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
220
TÍTULO: In-situ GIXRD characterization of the crystallization of Ni-Ti sputtered thin films
AUTORES: Martins, RMS ; Silva, RJC ; Fernandes, FMB ; Pereira, L ; Gordo, PR; Maneira, MJP; Schell, N;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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