221
TÍTULO: Characterization of silicon carbide thin films prepared by VHF-PECVD technology  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Raniero, L; Fortunato, E ; Pereira, L ; Martins, N; Canhola, P; Ferreira, I ; Nedev, N; Aguas, H ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
222
TÍTULO: Characterization of the density of states of polymorphous silicon films produced at 13.56 and 27.12 MHz using CPM and SCLC techniques  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Pereira, L ; Zhang, SB; Ferreira, I ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338
INDEXADO EM: WOS
223
TÍTULO: Characterization of the density of states of polymorphous silicon films produced at 13.56 and 27.12 MHz using CPM and SCLC techniques  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Pereira, L ; Zhang, S; Ferreira, I ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
224
TÍTULO: Effect of an interfacial oxide layer in the annealing behaviour of Au/a-Si : H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Ramos, AR ; Viana, AS ; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS
225
TÍTULO: Effect of an interfacial oxide layer in the annealing behaviour of Au/a-Si:H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Águas, H; Pereira, L ; Ferreira, I; A.R Ramos; A.S Viana; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340
INDEXADO EM: CrossRef: 2
226
TÍTULO: Effect of annealing on gold rectifying contacts in amorphous silicon
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Ramos, AR ; Viana, AS ; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
227
TÍTULO: Effect of the discharge frequency and impedance on the structural properties of polymorphous silicon  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
229
TÍTULO: Effect of the tunnelling oxide thickness and density on the performance of MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Goullet, A; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
230
TÍTULO: Flexible position sensitive photodetectors based on a-Si : H hetero structures  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Pereira, L ; Aguas, H ; Ferreira, I; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, VOLUME: 116, NÚMERO: 1
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