321
TÍTULO: Radiation tests on commercial instrumentation amplifiers, analog switches & DAC's
AUTORES: Agapito, JA; Barradas, NP ; Cardeira, FM; Casas, J; Fernandes, AP; Franco, FJ; Gomes, P; Goncalves, IC; Cachero, AH; Lozano, J; Marques, JG; Paz, A; Prata, MJ; Ramalho, AJG; Ruiz, MAR; Santos, JP; Vieira, A;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 7th Workshop on Electronics for LHC Experiments in PROCEEDINGS OF THE SEVENTH WORKSHOP ON ELECTRONICS FOR LHC EXPERIMENTS, VOLUME: 2001, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: WOS
322
TÍTULO: RBS analysis of MBE grown SiGe/(001)Si heterostructures with thin high Ge content SiGe channels for HMOS transistors  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Sequeira, AD; Franco, N; Myronov, M; Mironov, OA; Phillips, PJ; Parker, EHC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
INDEXADO EM: Scopus WOS
323
TÍTULO: RBS ANALYSIS OF MBE GROWN SiGe/(001)Si HETEROSTRUCTURES WITH THIN HIGH Ge CONTENT SiGe CHANNELS FOR HMOS TRANSISTORS  Full Text
AUTORES: BARRADAS, NP ; SEQUEIRA, AD; FRANCO, N; MYRONOV, M; MIRONOV, OA; PHILLIPS, PJ; PARKER, EHC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Modern Physics Letters B - Mod. Phys. Lett. B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28n29
INDEXADO EM: CrossRef
324
TÍTULO: Resistance decrease in spin tunnel junctions by control of natural oxidation conditions  Full Text
AUTORES: Zhang, ZG; Freitas, PP ; Ramos, AR ; Barradas, NP ; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 14
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
325
TÍTULO: Rutherford backscattering analysis of thin films and superlattices with roughness
AUTORES: Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 34, NÚMERO: 14
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
326
TÍTULO: Rutherford backscattering spectrometry and computer simulation for the in-depth analysis of chemically modified poly(vinylidene fluoride)  Full Text
AUTORES: Ross, GJ; Barradas, NP ; Hill, MP; Jeynes, C; Morrissey, P; Watts, JF;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 36, NÚMERO: 19
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
327
TÍTULO: Tunnel junctions with AlN barriers and FeTaN electrodes  Full Text
AUTORES: Wang, JG; Cardoso, S ; Freitas, PP ; Wei, P; Barradas, NP ; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 8th Joint MMM/Intermag Conference in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 89, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
328
TÍTULO: Accurate depth profiling of complex optical coatings  Full Text
AUTORES: Jeynes, C; Barradas, NP ; Rafla Yuan, H; Hichwa, BP; Close, R;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 8th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis in SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 30, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
329
TÍTULO: Artificial neural network algorithm for analysis of Rutherford backscattering data
AUTORES: Barradas, NP ; Vieira, A;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: PHYSICAL REVIEW E, VOLUME: 62, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
330
TÍTULO: Composition of Ni-Ta-C thick films using simulated annealing analysis of elastic backscattering spectrometry data  Full Text
AUTORES: Jeynes, C; Barradas, NP ; Wilde, JR; Greer, AL;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 14th International Conference on Ion Beam Analysis/6th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 161
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