Sergey Levichev


AuthID: R-000-GDT

Publicações Confirmadas: 26



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TÍTULO: Charging effects in CdSe nanocrystals embedded in SiO2 matrix produced by rf magnetron sputtering
AUTORES: Levichev, S ; Chahboun, A ; Basa, P; Rolo, AG ; Barradas, NP ; Alves, E ; Horvath, ZJ; Conde, O ; Gomes, MJM ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Symposium on Materials and Emerging Technologies for Non-Volatile-Memory Devices held at the 2008 EMRS Spring Meeting in MICROELECTRONIC ENGINEERING, VOLUME: 85, NÚMERO: 12
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TÍTULO: Confinement effect in CdTe nanocrystals embedded in silica thin films
AUTORES: Levichev, S ; Rolo, AG ; Chahboun, A ; Conde, O ; Kovalev, AI; Wainstein, DL; Gorries, MJM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 8th International Conference on Trends in Nanotechnology (TNT2007) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 6
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TÍTULO: Investigation of photoelectrical properties of CdSe nanocrystals embedded in a SiO(2) matrix  Full Text
AUTORES: Kafadaryan, EA; Levichev, S ; Pinto, SRC; Aghamalyan, NR; Hovsepyan, RK; Badalyan, GR; Chahboun, A ; Rolo, AG ; Gomes, MJM ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 23, NÚMERO: 9
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TÍTULO: Memory effect on CdSe nanocrystals embedded in SiO2 matrix  Full Text
AUTORES: Levichev, S ; Basa, P; Zs. J Horvath; Chahboun, A ; Rolo, AG ; Barradas, NP ; Alves, E ; Gomes, MJM ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: SOLID STATE COMMUNICATIONS, VOLUME: 148, NÚMERO: 3-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Structural and optical properties of Ge nanocrystals embedded in Al2O3
AUTORES: Caldelas, P; Rolo, AG ; Chahboun, A ; Foss, S; Levichev, S ; Finstad, TG; Gomes, MJM ; Conde, O ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: International Workshop on Nanostructured Materials (ANAOMAT 2006) in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
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TÍTULO: Tuning the energy spectrum of InAs/GaAs quantum dots by varying the thickness and composition of the thin double GaAs/InGaAs cladding layer  Full Text
AUTORES: Karpovich, IA; Zvonkov, BN; Levichev, SB ; Baidus, NV; Tikhov, SV; Filatov, DO; Gorshkov, AP; Ermakov, SY;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: SEMICONDUCTORS, VOLUME: 38, NÚMERO: 4
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