Sérgio Manuel de Sousa Pereira


AuthID: R-000-GF5

Publicações Confirmadas: 72



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TÍTULO: Optical active centres in ZnO samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Soares, MJ ; Neves, A ; Pereira, S ; Correia, MR ; Peres, M; Alves, E ; Rogers, D; Teherani, F; Munoz SanJose, V; Trindade, T ; Pereira, A ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 11
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42
TÍTULO: Optical studies on a coherent InGaN/GaN layer  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Alves, E ; Arnaudov, B;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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TÍTULO: Structural and optical characterization of light emitting InGaN/GaN epitaxial layers
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
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44
TÍTULO: Absolute scale reciprocal space mapping on X-ray diffractometers incorporating a position sensitive detector: Application to III-nitride semiconductors
AUTORES: Franco, N; Pereira, S ; Sequeira, AD;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
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45
TÍTULO: Direct evidence for strain inhomogeneity in InxGa1-xN epilayers by Raman spectroscopy  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Frandon, J; Watson, IM; Liu, C; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 85, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 16
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46
TÍTULO: Optical studies on the red luminescence of InGaN epilayers  Full Text
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Pereira, E; Ferreira, RAS ; Frandon, J; Alves, E ; Watson, IM; Liu, C; Morel, A; Gil, B;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 36, NÚMERO: 4-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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47
TÍTULO: Roughness in GaN/InGaN films and multilayers determined with Rutherford backscattering  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Alves, E ; Pereira, S ; Shvartsman, VV; Kholkin, AL ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Liu, C; Deatcher, CJ; Watson, IM; Mayer, M;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 217, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 28
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48
TÍTULO: Annealing behavior and lattice site location of Er implanted InGaN  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Wahl, U ; Correia, MR ; Pereira, S ; De Vries, B; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 206
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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49
TÍTULO: In situ optical reflectometry applied to growth of indium gallium nitride epilayers and multi-quantum well structures  Full Text
AUTORES: Deatcher, CJ; Liu, C; Pereira, S ; Lada, M; Cullis, AG; Sun, YJ; Brandt, O; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 18, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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50
TÍTULO: Phonons and free-carrier properties of binary, ternary, and quaternary group-III nitride layers measured by infrared Spectroscopic Ellipsometry  Full Text
AUTORES: Kasic, A; Schubert, M; Off, J; Kuhn, B; Scholz, F; Einfeldt, S; Bottcher, T; Hommel, D; As, DJ; Kohler, U; Dadgar, A; Krost, A; Saito, Y; Nanishi, Y; Correia, MR ; Pereira, S ; Darakchieva, V; Monemar, B; Amano, H; Akasaki, I; Wagner, G; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Physica Status Solidi C: Conferences, NÚMERO: 6 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 13
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