Teresa Maria Fernandes Rodrigues Cabral Monteiro


AuthID: R-000-H53

Publicações Confirmadas: 274



211
TÍTULO: Characterisation of GaN films grown on sapphire by low-temperature cyclic pulsed laser deposition/nitrogen rf plasma  Full Text
AUTORES: Sanguino, P; Niehus, M; Melo, LV ; Schwarz, R ; Koynov, S; Monteiro, T ; Soares, J ; Alves, H; Meyer, BK;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
212
TÍTULO: Implantation and annealing studies of Tm-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Monteiro, T ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
213
TÍTULO: Influence of crystals distribution on the photoluminescence properties of nanocrystalline silicon thin films  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Stepikhova, M; Losurdo, M; Giangregorio, MM; Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Boemare, C;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD) in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 34, NÚMERO: 5-8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
214
TÍTULO: Lattice location and optical activation of rare earth implanted GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Alves, E ; Lorenz, K ; Correia, JG ; Monteiro, T ; De Vries, B; Vantomme, A; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
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215
TÍTULO: Lattice site location and optical activity of Er implanted ZnO  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Rita, E; Wahl, U ; Correia, JG ; Monteiro, T ; Soares, J ; Boemare, C;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 206
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
216
TÍTULO: Optical doping of ZnO with Tm by ion implantation  Full Text
AUTORES: Rita, E; Alves, E ; Wahl, U ; Correia, JG ; Neves, AJ ; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
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217
TÍTULO: Optical properties and transport in PLD-GaN
AUTORES: Niehus, M; Sanguino, P; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Pereira, E; Vieira, M ; Koynov, S; Schwarz, R ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 3
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218
TÍTULO: Photoluminescence and damage recovery studies in Fe-implanted ZnO single crystals  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Rita, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 93, NÚMERO: 11
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219
TÍTULO: Photoluminescence decay in the ps time regime and structural properties of pulsed-laser deposited GaN  Full Text
AUTORES: Sanguino, P; Niehus, M; Melo, L ; Schwarz, R ; Fedorov, A ; Martinho, JMG ; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
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220
TÍTULO: Radiation-damage recovery in undoped and oxidized Li doped MgO crystals implanted with lithium ions  Full Text
AUTORES: Alves, E ; da Silva, RC; Pinto, JV ; Monteiro, T ; Savoini, B; Caceres, D; Gonzalez, R; Chen, Y;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 206
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