51
TÍTULO: Correction to "Spectroscopic Analysis of Eu 3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires"
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E ; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 3
52
TÍTULO: Effect of AlN content on the lattice site location of terbium ions in AlxGa1-xN compounds  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
53
TÍTULO: Effects of Zr and Ga doping on the stoichiometry and properties of niobium oxides
AUTORES: Nico, C; Soares, MRN; Costa, LC ; Monteiro, T ; Graca, MPF;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: CERAMICS INTERNATIONAL, VOLUME: 42, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
54
TÍTULO: Exploring the potential of laser assisted flow deposition grown ZnO for photovoltaic applications  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Cerqueira, AFR; Sousa, MG; Santos, NF; Pimentel, A; Fortunato, E ; da Cunha, AF; Monteiro, T ; Costa, FM;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, VOLUME: 177
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
55
TÍTULO: Niobium oxides and niobates physical properties: Review and prospects  Full Text
AUTORES: Nico, C; Monteiro, T ; Graca, MPF;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PROGRESS IN MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 80
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 62
57
TÍTULO: Quantum Well Intermixing and Radiation Effects in InGaN/GaN Multi Quantum Wells
AUTORES: Lorenz, K ; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E ; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
58
TÍTULO: Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted AlxGa1-xN layers  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Esteves, TC; Santos, NF; Ben Sedrine, N; Rino, L; Neves, AJ; Lorenz, K ; Alves, E ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
59
TÍTULO: Structural, optical, and electrical properties of SmNbO4  Full Text
AUTORES: Nico, C; Soares, MRN; Costa, FM; Monteiro, T ; Graca, MPF;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 6th International Conference on Advanced Nanomaterials (ANM) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
60
TÍTULO: Study of damage formation and annealing of implanted III-nitride semiconductors for optoelectronic devices  Full Text
AUTORES: Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Alves, E ; Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Correia, MR; Monteiro, T ; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 379
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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