11
TÍTULO: Stability and diffusion of interstitial and substitutional Mn in GaAs of different doping types
AUTORES: Pereira, LMC; Wahl, U ; Decoster, S; Correia, JG; Amorim, LM; da Silva, MR ; Araujo, JP ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 86, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 14
12
TÍTULO: Direct identification of interstitial Mn in heavily p-type doped GaAs and evidence of its high thermal stability  Full Text
AUTORES: Pereira, LMC; Wahl, U ; Decoster, S; Correia, JG; da Silva, MR ; Vantomme, A; Araujo, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 98, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 25
13
TÍTULO: Materials science and biophysics applications at the ISOLDE radioactive ion beam facility  Full Text
AUTORES: Wahl, U ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 10th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 269, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
14
TÍTULO: Mixed Zn and O substitution of Co and Mn in ZnO
AUTORES: Pereira, LMC; Wahl, U ; Decoster, S; Correia, JG ; Amorim, LM; da Silva, MR ; Araujo, JP ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 23
15
TÍTULO: Diluted manganese on the bond-centered site in germanium  Full Text
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; Wahl, U ; Correia, JG ; Pereira, LMC; Lacasta, C; Da Silva, MR ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 15
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
16
TÍTULO: Isotopic fingerprints of Pt-containing luminescence centers in highly enriched Si-28
AUTORES: Steger, M; Yang, A; Sekiguchi, T; Saeedi, K; Thewalt, MLW; Henry, MO; Johnston, K; Alves, E ; Wahl, U ; Riemann, H; Abrosimov, NV; Churbanov, MF; Gusev, AV; Kaliteevskii, AK; Godisov, ON; Becker, P; J Pohl;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 23
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17
TÍTULO: Lattice Location of RE Impurities in III-Nitrides
AUTORES: Andre Vantomme; Bart De Vries; Ulrich Wahl ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: RARE EARTH DOPED III-NITRIDES FOR OPTOELECTRONIC AND SPINTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 124
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18
TÍTULO: Lattice location of the group V elements Sb, As, and P in ZnO
AUTORES: Ulrich Wahl ; Joao Guilherme Correia ; Tania Mendonca; Stefan Decoster;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES, VOLUME: 7603
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19
TÍTULO: Lattice location study of ion implanted Sn and Sn-related defects in Ge
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 81, NÚMERO: 15
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20
TÍTULO: Direct evidence for Sb as a Zn site impurity in ZnO  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Mendonca, T; Decoster, S;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 94, NÚMERO: 26
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