21
TÍTULO: Effect of fluence on the lattice site of implanted Er and implantation induced strain in GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; De Vries, B; Decoster, S; Vantomme, A; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 267, NÚMERO: 8-9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
22
TÍTULO: Lattice location of the group V elements As and Sb in ZnO  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Decoster, S; Mendonca, T;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
23
TÍTULO: Lattice location study of implanted In in Ge  Full Text
AUTORES: Decoster, S; De Vries, B; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
24
TÍTULO: Transition Metal Impurities on the Bond-Centered Site in Germanium
AUTORES: Decoster, S; Cottenier, S; De Vries, B; Emmerich, H; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 102, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
25
TÍTULO: Experimental evidence of tetrahedral interstitial and bond-centered Er in Ge  Full Text
AUTORES: Decoster, S; De Vries, B; Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 93, NÚMERO: 14
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
26
TÍTULO: Amphoteric arsenic in GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Araújo, JP ; Rita, E; Soares, JC ; The ISOLDE Collaboration, ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 90, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
27
TÍTULO: Arsenic in ZnO and GaN: Substitutional cation or anion sites?
AUTORES: Ulrich Wahl ; Joao Guilherme Correia ; Elisabete Rita; Ana Claudia Marques; Eduardo Alves ; Jose Carvalho Soares ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Symposium on Semiconductor Defect Engineering Materials, Synthetic Structures and Devices II held at the 2007 MRS Spring Meeting in SEMICONDUCTOR DEFECT ENGINEERING-MATERIALS, SYNTHETIC STRUCTURES AND DEVICES II, VOLUME: 994
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28
TÍTULO: Lattice location of implanted as in ZnO  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Rita, E; Correia, JG ; Marques, AC; Alves, E ; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Symposium on ZnO and Related Materials held at the 2006 EMRS Spring Meeting in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 42, NÚMERO: 1-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
29
TÍTULO: Noise and trigger efficiency characterization of cooled silicon pad detectors  Full Text
AUTORES: Marques, AC ; Wahl, U ; Correia, JG ; Silva, MR; Rudge, A; Weilhammer, P; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, VOLUME: 572, NÚMERO: 3
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30
TÍTULO: Study of point defects and phase transitions in undoped and Nb-doped SrTiO3 using perturbed angular correlations  Full Text
AUTORES: Marques, AC ; Correia, JG ; Wahl, U ; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 19th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 261, NÚMERO: 1-2
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