Ulrich Wahl


AuthID: R-000-HB1

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71
TÍTULO: Optical doping of ZnO with Tm by ion implantation  Full Text
AUTORES: Rita, E; Alves, E ; Wahl, U ; Correia, JG ; Neves, AJ ; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-22) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 340
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 25
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72
TÍTULO: Processing of rare earth doped GaN with ion beams
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Ruffenach, S; Briot, O; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
INDEXADO EM: Scopus WOS
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73
TÍTULO: Erbium implantation in strontium titanate  Full Text
AUTORES: Araujo, JP ; Wahl, U ; Alves, E ; Correia, JG ; Monteiro, T ; Soares, J ; Boemare, C;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 11th International Conference on Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 191, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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74
TÍTULO: Lanthanide doped cubic boron nitride
AUTORES: Vetter, U; Taniguchi, T; Wahl, U ; Correia, J ; Muller, A; Ronning, C; Hofsass, H; Dietrich, M;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Quantum Confined Semiconductor Nanostructures in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 744
INDEXADO EM: Scopus
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75
TÍTULO: Lattice location of implanted 147Nd and 147* Pm in GaN using emission channeling  Full Text
AUTORES: De Vries, B; Wahl, U ; Vantomme, A; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 2nd International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2002 in Physica Status Solidi C: Conferences, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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76
TÍTULO: Lattice location of implanted Ag in Si  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Correia, JG ; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 15th International Conference on Ion-Beam Analysis (IBA-15) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 190, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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77
TÍTULO: Direct evidence for implanted Fe on substitutional Ga sites in GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Vantomme, A; Langouche, G; Correia, JG ; Peralta, L; ISOLDE Collaboration, ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 78, NÚMERO: 21
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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78
TÍTULO: Emission channeling studies of implanted Er-167m in InP  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Vantomme, A; Langouche, G; J.P Araújo ; The ISOLDE collaboration;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 12th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM2000) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 175
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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79
TÍTULO: Electron-gamma perturbed angular correlation studies on high-T-C superconductors  Full Text
AUTORES: Correia, JG ; Araujo, JP ; Marques, JG ; Ramos, AR ; Lourenco, AA; Amaral, V ; Galindo, V; Senateur, JP; Weiss, F; Wahl, U ; Melo, AA; Soares, JC ; Sousa, JB ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: HYPERFINE INTERACTIONS, VOLUME: 129, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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80
TÍTULO: Emission channeling studies of Pr in GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Vantomme, A; Langouche, G; J.P Araújo ; Peralta, L ; Correia, JG ; ISOLDE Collaboration, ;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 88, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 50
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