Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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271
TÍTULO: Microstructural studies and electrical properties of Mg-doped SrTiO3 thin films  Full Text
AUTORES: Okhay, O ; Wu, A; Vilarinho, PM ; Reaney, IM; Ramos, ARL ; Alves, E ; Petzelt, J; Pokorny, J;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 55, NÚMERO: 15
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272
TÍTULO: Optical and structural analysis of Ge/Si quantum dots grown on a Si(001) surface covered with a SiO2 sub-monolayer
AUTORES: Fonseca, A; Alves, E ; Leitao, JP ; Sobolev, NA; Carmo, MC; Nikiforov, A;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 13th International Symposium on Nanstructures - Physics and Technology in INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE, VOL 6, NOS 3 AND 4, VOLUME: 6, NÚMERO: 3-4
INDEXADO EM: Scopus WOS
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273
TÍTULO: Optical and structural behaviour of Cu-implanted sapphire  Full Text
AUTORES: Marques, C; Franco, N; Alves, LC ; da Silva, RC; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 14th International Conference on Surface Modification by Ion Beams (SMMIB 05) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 201, NÚMERO: 19-20
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274
TÍTULO: Optical studies of ZnO nanocrystals doped with Eu3+ ions  Full Text
AUTORES: Peres, M; Cruz, A; Pereira, S ; Correia, MR ; Soares, MJ ; Neves, A ; Carmo, MC; Monteiro, T ; Pereira, AS ; Martins, MA ; Trindade, T ; Alves, E ; Nobre, SS; Sa Ferreira, RAS ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, VOLUME: 88, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 40
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275
TÍTULO: Radiation-induced structural transformations in a silicon layer of SOI  Full Text
AUTORES: Shcherbachev, KD; Bublik, VT; Mordkovich, VN; Pazhin, DM; Alves, E ; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 8th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 204, NÚMERO: 8
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276
TÍTULO: Relaxation behaviour of Co and Ni implanted into MgO  Full Text
AUTORES: Cruz, MM ; Pinto, JV ; da Silva, RC; Alves, E ; Gonzalez, R; Godinho, M ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Joint European Magnetic Symposia (JEMS 06) in JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, VOLUME: 316, NÚMERO: 2
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277
TÍTULO: Role of nanoscale strain inhomogeneity on the light emission from InGaN epilayers  Full Text
AUTORES: Sergio Manuel D de Sousa Pereira ; Kevin Peter O'Donnell; Eduardo Jorge D da Costa Alves ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, VOLUME: 17, NÚMERO: 1
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278
TÍTULO: Spectroscopic investigation of implanted epilayers of Tm3+ : GaN  Full Text
AUTORES: Bodiou, L; Braud, A; Terpin, C; Doualan, JL; Moncorge, R; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 122, NÚMERO: 1-2
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279
TÍTULO: Stability of GaN films under intense MeV He ion irradiation  Full Text
AUTORES: Schwarz, R ; Cabeca, R; Morgado, E; Niehus, M; Ambacher, O; Marques, CP; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 17th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide in DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 16, NÚMERO: 4-7
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280
TÍTULO: Structural and optical characterisation of Eu implanted AlxGa1-xN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Monteiro, T ; Cruz, A; Peres, M;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 15th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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Página 28 de 60. Total de resultados: 597.

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