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372

TÃTULO: Stopping Power Of He, C And O In InN Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Alves, E ; Siketic, Z; Radovic, IB;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 21st International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY: TWENTY-FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE, VOLUME: 1336

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373

TÃTULO: Structural and optical properties of Ag:TiO2 nanocomposite films prepared by magnetron sputtering
AUTORES: Adochite, RC; Torrell, M; Cunha, L ; Alves, E ; Barradas, NP ; Cavaleiro, A ; Riviere, JP; Eyidi, D; Vaz, F ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, VOLUME: 5, NÚMERO: 1-2

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374

TÃTULO: Structural and optical properties of Er implanted AlN thin films: Green and infrared photoluminescence at room temperature Full Text
AUTORES: Soares, MJ ; Leitao, JP ; da Silva, MIN; Gonzalez, JC; Matinaga, FM; Lorenz, K ; Alves, E ; Peres, M; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7

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375

TÃTULO: Surface composition and morphology changes of JET tiles under plasma interactions Full Text
AUTORES: Alves, LC ; Alves, E ; Barradas, NP ; Dias, M; Mateus, R ; Carvalho, P ; Coad, JP; Widdowson, AM; Likonen, J; Koivuranta, S;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 26th Symposium on Fusion Technology (SOFT) in FUSION ENGINEERING AND DESIGN, VOLUME: 86, NÚMERO: 9-11

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376

TÃTULO: Ternary AlGaN Alloys with High Al Content and Enhanced Compositional Homogeneity Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
AUTORES: Vincent Fellmann; Perine Jaffrennou; Diane Sam Giao; Bruno Gayral; Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; Bruno Daudin;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 3

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377

TÃTULO: The high sensitivity of InN under rare earth ion implantation at medium range energy Full Text
AUTORES: Lacroix, B; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ; Syrkin, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 44, NÚMERO: 29

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378

TÃTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN Full Text
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K ; Alves, E ; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7

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379

TÃTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Roqan, IS; Ke Wang; Lorenz, K ; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7

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380

TÃTULO: The role of the annealing temperature on the optical and structural properties of Eu doped GaN/AlN QD Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Rodrigues, J; Soares, MJ ; Fellmann, V; Neves, AJ ; Alves, E ; Daudin, B; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7

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