521
TÍTULO: Optical energies of AlInN epilayers  Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Amabile, D; Edwards, PR; Hernandez, S; Nogales, E; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Matias, V; Vantomme, A; Wolverson, D; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 103, NÚMERO: 7
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523
TÍTULO: Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers  Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Santos, NM; Sobolev, NA; Correia, MR ; Stepina, NP; Carmo, MC; Magalhaes, S; Alves, E ; Novikov, AV; Shaleev, MV; Lobanov, DN; Krasilnik, ZF;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Symposium on Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications held at the 2007 EMRS Spring Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 147, NÚMERO: 2-3
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524
TÍTULO: Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers  Full Text
AUTORES: J.P Leitão; N.M Santos; N.A Sobolev; M.R Correia; N.P Stepina; M.C Carmo; Magalhães, S; Alves, E ; A.V Novikov; M.V Shaleev; D.N Lobanov; Z.F Krasilnik;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Materials Science and Engineering: B, VOLUME: 147, NÚMERO: 2-3
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525
TÍTULO: Raman and XRD studies of Ge nanocrystals in alumina films grown by RF-magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Caldelas, R; Rolo, AG ; Gomes, MJM ; Alves, E ; Ramos, AR ; Conde, O ; Yerci, S; Turan, R;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 5th Iberian Vacuum Meeting in VACUUM, VOLUME: 82, NÚMERO: 12
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526
TÍTULO: Rare earth doping of III-nitride alloys by ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Roqan, IS; Martin, RW; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials (IBEDM 2006) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 1
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527
TÍTULO: RBS analysis of InGaN/GaN quantum wells for hybrid structures with efficient Forster coupling  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Alves, E ; Pereira, S ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 18th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 266, NÚMERO: 8
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528
TÍTULO: Relaxation of compressively strained AlInN on GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Pereira, S ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 310, NÚMERO: 18
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529
TÍTULO: Role of the oxygen partial pressure on the properties of undoped tin oxide films deposited at low temperature  Full Text
AUTORES: Parreira, P ; Valente, J; Lavareda, G ; Nunes N de Carvalho; Ramos, AR ; Alves, E ; Brogueira, P ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: E-MRS 2007 Spring Meeting Symposium on Advances in Transparent Electronics: From Materials to Devices II in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 8
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530
TÍTULO: Structural and Mechanical Properties of AZOY Thin Films Deposited on Flexible Substrates
AUTORES: Oliveira, C; Costa, CM; Rebouta, L ; Viseu, T ; De Lacerda Aroso, T ; Lanceros Mendez, S ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
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