591
TÍTULO: Hardware and software improvements in the Hotbird
AUTORES: Franco, N; Alves, E ; Barradas, NP ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 3rd International Materials Symposium/12th Meeting of the Sociedad-Portuguesa-da-Materials (Materials 2005/SPM) in ADVANCED MATERIALS FORUM III, PTS 1 AND 2, VOLUME: 514-516, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
592
TÍTULO: High temperature annealing of rare earth implanted GaN films: Structural and optical properties  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Nogales, E; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Wojdak, M; Braud, A; Monteiro, T ; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
593
TÍTULO: Hydrogenated silicon carbon nitride films obtained by HWCVD, PA-HWCVD and PECVD techniques  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Fortunato, E ; Vilarinho, P ; Viana, AS ; Ramos, AR ; Alves, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 352, NÚMERO: 9-20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 28
594
TÍTULO: Identification of donor-related impurities in ZnO using photoluminescence and radiotracer techniques
AUTORES: Johnston, K; Henry, MO; McCabe, D; McGlynn, E; Dietrich, M; Alves, E ; Xia, M;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 73, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
595
TÍTULO: Implantation of Er/Yb ions into gallium nitride
AUTORES: Prajzler, V; Jerabek, V; Huttel, I; Alves, E ; Buchal, C; Spirkova, J; Oswald, J; Perina, V; Boldyryeva, H; Zavadil, J;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: WSEAS Transactions on Electronics, VOLUME: 3, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus
596
TÍTULO: Influence of defects on the optical and structural properties of Ge dots embedded in an Si/Ge superlattice  Full Text
AUTORES: Fonseca, A; Sobolev, NA; Leitao, JP ; Alves, E ; Carmo, MC; Zakharov, ND; Werner, P; Tonkikh, AA; Cirlin, GE;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Si-based Photonics held at the EMRS 2006 Conference in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 121, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
597
TÍTULO: Influence of rapid thermal annealing on the luminescence properties of nanoporous GaN films
AUTORES: Vajpeyi, AP; Tripathy, S; Shannigrahi, SR; Foo, BC; Wang, LS; Chua, SJ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 9, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
598
TÍTULO: Influence of the annealing ambient on structural and optical properties of rare earth implanted GaN
AUTORES: Lorenz, K ; Nogales, E; Nedelec, R; Penner, J; Vianden, R; Alves, E ; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on GaN, AIN, InN Related Materials held at the 2005 MRS Fall Meeting in GaN, AIN, InN and Related Materials, VOLUME: 892
INDEXADO EM: Scopus WOS
599
TÍTULO: Investigation of the nonlinear optical characteristics of composite materials based on sapphire with silver, copper, and gold nanoparticles by the reflection Z-scan method  Full Text
AUTORES: Ganeev, RA; Ryasnyanskii, AI; Stepanov, AL; Usmanov, T; Marques, C; da Silva, RC; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: OPTICS AND SPECTROSCOPY, VOLUME: 101, NÚMERO: 4
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600
TÍTULO: Investigations of p-type signal for ZnO thin films grown on (100) GaAs substrates by pulsed laser deposition  Full Text
AUTORES: Rogers, DJ; Teherani, FH; Monteiro, T ; Soares, M ; Neves, A ; Carmo, M; Pereira, S; Correia, MR ; Lusson, A; Alves, E ; Barradas, NP ; Morrod, JK; Prior, KA; Kung, P; Yasan, A; Razeghi, M;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 12th International Conference on II-VI Compounds in Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 4, VOLUME: 3, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 16
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