Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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731
TÍTULO: Annealing behavior and lattice site location of Er implanted InGaN  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Wahl, U ; Correia, MR ; Pereira, S ; De Vries, B; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 13th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 206
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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732
TÍTULO: Dielectric function of nanocrystalline silicon with few nanometers (< 3 nm) grain size  Full Text
AUTORES: Losurdo, M; Giangregorio, MM; Capezzuto, P; Bruno, G; Cerqueira, MF ; Alves, E ; Stepikhova, M;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 82, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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733
TÍTULO: Effects of the morphology and structure on the elastic behavior of (Ti,Si,Al)N nanocomposites  Full Text
AUTORES: Carvalho, S ; Ribeiro, E; Rebouta, L ; Vaz, F ; Alves, E ; Schneider, D; Cavaleiro, A ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 8th International Conference on Plasma Surface Engineering in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 174
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 18
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734
TÍTULO: Electron micro-probe analysis and cathodoluminescence spectroscopy of rare earth implanted GaN
AUTORES: Dalmasso, S; Martin, RW; Edwards, PR; Katchkanov, V; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Pipeleers, B; Matias, V; Vantomme, A; Nakanishi, Y; Wakahara, A; Yoshida, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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735
TÍTULO: High temperature chemical compatibility between SiC composites and Be pebbles  Full Text
AUTORES: Alves, LC ; Paul, A; da Silva, MR ; Aves, E ; Riccardi, B; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 8th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 210
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736
TÍTULO: High temperature implantation of Tm in GaN
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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737
TÍTULO: Implantation and annealing studies of Tm-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Monteiro, T ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
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738
TÍTULO: Implantation site of rare earths in single-crystalline ZnO  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Rita, E; Correia, JG ; Alves, E ; Araújo, JP ; The ISOLDE Collaboration, ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 82, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 50
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739
TÍTULO: Influence of crystals distribution on the photoluminescence properties of nanocrystalline silicon thin films  Full Text
AUTORES: Cerqueira, MF ; Stepikhova, M; Losurdo, M; Giangregorio, MM; Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Boemare, C;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Conference on Low Dimensional Structures and Devices (LDSD) in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 34, NÚMERO: 5-8
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740
TÍTULO: Influence of ionizing radiation on the electrical behavior of a Be pebble bed  Full Text
AUTORES: Alves, E ; da Silva, MR ; Alves, LC ; Marques, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 22nd Symposium on Fusion Technology in FUSION ENGINEERING AND DESIGN, VOLUME: 69, NÚMERO: 1-4
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