Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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811
TÍTULO: Fe ion implantation in GaN: Damage, annealing, and lattice site location  Full Text
AUTORES: Liu, C; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 90, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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812
TÍTULO: Green and red emission in Ca implanted GaN samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Alves, E ; Liu, C;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
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813
TÍTULO: Green, red and infrared Er-related emission in implanted GaN : Er and GaN : Er,O samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Soares, J; Correia, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 89, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
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814
TÍTULO: Heavy ion implantation in GaN epilayers  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Marques, JG ; Da Silva, MF; Soares, JC; Bartels, J; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: International Conference on Defects in Insulating Materials in RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, VOLUME: 156, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: WOS CrossRef
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815
TÍTULO: High temperature annealing of Er implanted GaN  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, J; Santos, L; da Silva, MF; Soares, JC ; Lojkowski, W; Kolesnikov, D; Vianden, R; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 81, NÚMERO: 1-3
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816
TÍTULO: Hyperfine fields of 181Ta in UFe4Al8
AUTORES: Marques, JG ; Barradas, NP ; Alves, E ; Ramos, AR ; Goncalves, AP ; Da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Hyperfine Interactions, VOLUME: 136-137, NÚMERO: 3-8
INDEXADO EM: Scopus
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817
TÍTULO: Hyperfine fields of Ta-181 in UFe4Al8  Full Text
AUTORES: Marques, JG ; Barradas, NP ; Alves, E ; Ramos, AR ; Goncalves, AP ; Da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 12th International Conference on Hyperfine Interactions in HYPERFINE INTERACTIONS, VOLUME: 136, NÚMERO: 3-8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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818
TÍTULO: Indium content determination related with structural and optical properties of InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Monteiro, T ; Pereira, E; Soares, MR ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th European Workshop on Gallium Nitride in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 230, NÚMERO: 3-4
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819
TÍTULO: Indium distribution within InxGa1-xN epitaxial layers: A combined resonant Raman scattering and Rutherford backscattering study  Full Text
AUTORES: Correia, R; Pereira, S ; Pereira, E; Alves, E ; Gleize, J; Frandon, J; Renucci, MA;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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820
TÍTULO: Influence of radiotherapy treatments in head and neck oncological patients with biomaterial prostheses
AUTORES: Pascoal, A; Teixeira, N; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Topical Meeting on Medical Radiation Physics and Engineering (TM-MeRPE) in PHYSICA MEDICA, VOLUME: 17, NÚMERO: SUPPL. 4
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Página 82 de 91. Total de resultados: 908.

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