Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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901
TÍTULO: LATTICE SITE LOCATION AND OUTDIFFUSION OF MERCURY IMPLANTED IN GAAS  Full Text
AUTORES: SOARES, JC ; MELO, AA; ALVES, E ; DASILVA, MF; GILLIN, WP; SEALY, BJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: 7TH INTERNATIONAL CONF ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS ( IBMM 90 ) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 59, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
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902
TÍTULO: Lattice site location and outdiffusion of mercury implanted in GaAs  Full Text
AUTORES: J.C Soares; A.A Melo; Alves, E ; M.F da Silva; W.P Gillin; B.J Sealy;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 59-60
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903
TÍTULO: VACANCY ACCEPTOR COMPLEXES IN GERMANIUM PRODUCED BY ION-IMPLANTATION  Full Text
AUTORES: FEUSER, U; VIANDEN, R; ALVES, E ; DASILVA, MF; SZILAGYI, E; PASZTI, F; SOARES, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: 7TH INTERNATIONAL CONF ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS ( IBMM 90 ) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 59, NÚMERO: PART 2
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904
TÍTULO: Vacancy-acceptor complexes in germanium produced by ion implantation  Full Text
AUTORES: Feuser, U; Vianden, R; Alves, E ; M.F da Silva; Szilágyi, E; Pászti, F; J.C Soares;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 59-60
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905
TÍTULO: Regrowth of indium-implanted (100), (110) and (111) silicon crystals studied with Rutherford backscattering and perturbed angular correlation techniques  Full Text
AUTORES: Alves, E ; M.F Da Silva; A.A Melo; J.C Soares; Feuser, U; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Materials Science and Engineering: B, VOLUME: 4, NÚMERO: 1-4
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906
TÍTULO: REGROWTH OF INDIUM-IMPLANTED (100), (110) AND (111) SILICON-CRYSTALS STUDIED WITH RUTHERFORD BACKSCATTERING AND PERTURBED ANGULAR-CORRELATION TECHNIQUES  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; DASILVA, MF; MELO, AA; SOARES, JC ; FEUSER, U; VIANDEN, R;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: SYMP AT THE 1989 SPRING MEETING OF THE EUROPEAN MATERIALS SOC : SCIENCE AND TECHNOLOGY OF DEFECTS IN SILICON in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 4, NÚMERO: 1-4
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907
TÍTULO: LATTICE LOCATION STUDIES ON HAFNIUM, THALLIUM AND LEAD IMPLANTED MAGNESIUM SINGLE CRYSTALS.
AUTORES: da Silva, MF; da Silva, MR; Alves, E ; Melo, A; Soares, JC ; Winand, J; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: Surface Engineering: Surface Modification of Materials. in NATO ASI Series, Series E: Applied Sciences, NÚMERO: 85
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908
TÍTULO: NEW HAFNIUM-BERYLLIUM SYSTEM PRODUCED BY ION IMPLANTATION AND ANNEALING TECHNIQUES.
AUTORES: Soares, JC ; Melo, AA; DaSilva, MF; Alves, EJ ; Freitag, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: Ion Implantation and Ion Beam Processing of Materials, Symposium. in Materials Research Society Symposia Proceedings, VOLUME: 27
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