Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

Publicações Confirmadas: 950



421
TÍTULO: Characterization of mesoporous ZnO:SiO2 films obtained by the sol-gel method  Full Text
AUTORES: Martins, RMS ; Musat, V; Muecklich, A; Franco, N; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID | ResearcherID | CIÊNCIAVITAE
422
TÍTULO: Characterization of SnO2:F thin films deposited by an economic spray pyrolysis technique  Full Text
AUTORES: Nafiseh Memarian; Seyed Mohammad Rozati; Elangovan Elamurugu; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS)/Symposium F on Advances in Transparent Electronics-From Materials to Devices in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 9, VOLUME: 7, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID | CIÊNCIAVITAE
423
TÍTULO: Erratum: “Thin-film transistors based on p-type Cu[sub 2]O thin films produced at room temperature” [Appl. Phys. Lett. 96, 192102 (2010)]  Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID | CIÊNCIAVITAE
424
TÍTULO: Floating gate memory paper transistor
AUTORES: Martins, R ; Pereira, L ; Barquinha, P ; Correia, N; Goncalves, G; Ferreira, I ; Dias, C ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES, VOLUME: 7603
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID | ResearcherID | CIÊNCIAVITAE
425
TÍTULO: Gelatin in electrochromic devices  Full Text
AUTORES: Silva, MM ; Barbosa, PC ; Rodrigues, LC ; Goncalves, A; Costa, C; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Functional Materials and Devices in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 32, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 43
NO MEU: ORCID | ResearcherID | CIÊNCIAVITAE
426
TÍTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Goncalves, G; Barquinha, P; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: WOS
NO MEU: ResearcherID
427
TÍTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID | CIÊNCIAVITAE
428
TÍTULO: Influence of Deposition Pressure on N-doped ZnO Films by RF Magnetron Sputtering
AUTORES: Jinzhong Z Wang; Elangovan Elamurugu; Nuno Franco; Eduardo Alves ; Ana M B Botelho do Rego ; Goncalo Goncalves; Rodrigo Martins ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
NO MEU: ORCID | ResearcherID | CIÊNCIAVITAE
429
TÍTULO: Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Jin-zhong WANG; ElANGOVAN, E; FRANCO, N; ALVESE, A; REGO, A; MARTINS, R; FORTUNATO, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Transactions of Nonferrous Metals Society of China, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID | CIÊNCIAVITAE
430
TÍTULO: Influence of oxygen partial pressure on properties of N-doped ZnO films deposited by magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Wang, JZ; Elangovan, E; Franco, N; Alvese, A; Rego, A ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: TRANSACTIONS OF NONFERROUS METALS SOCIETY OF CHINA, VOLUME: 20, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID | ResearcherID | CIÊNCIAVITAE
Página 43 de 95. Total de resultados: 950.

Um espaço para investigadores e suas Instituições

Links Úteis

Ajuda

© 2025 CRACS & Inesc TEC - All Rights Reserved Política de Privacidade | Terms of Service