511
TÍTULO: Investigation of hydrocarbon coated porous silicon using PECVD technique to detect CO2 gas  Full Text
AUTORES: Prabakaran, R; Silva, L; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
512
TÍTULO: Investigation of hydrocarbon coated porous silicon using PECVD technique to detect CO2 gas  Full Text
AUTORES: Prabakaran, R; Silva, L; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: WOS
513
TÍTULO: Low temperature high k dielectric on poly-Si TFTs  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: WOS
514
TÍTULO: Low temperature high k dielectric on poly-Si TFTs  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Barquinha, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
515
TÍTULO: Metal contamination detection in nickel induced crystallized silicon by spectroscopic ellipsometry  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Beckers, M; Martins, RMS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
516
TÍTULO: Microstracture and gas-sensing properties of sol-gel ZnO thin films  Full Text
AUTORES: Musat, V; Rego, AM ; Monteiro, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Symposium on Advances in Transparents Electronics held at the European-Materials-Research-Society Meeting in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 516, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
517
TÍTULO: n-PS/a-Si : H heterojunction for device application  Full Text
AUTORES: Prabakaran, R; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 22nd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: WOS
518
TÍTULO: n-PS/a-Si:H heterojunction for device application  Full Text
AUTORES: Prabakaran, R; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 354, NÚMERO: 19-25
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
519
TÍTULO: New Amorphous Oxide Semiconductor for Thin Film Transistors (TFTs)
AUTORES: Fortunato, E ; Barquinha, P ; Goncalves, G; Pereira, L ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
520
TÍTULO: Optical and Microstructural Investigations of Porous Silicon Coated with a-Si:H using PECVD Technique
AUTORES: Prabakaran, R; Aguas, H ; Pereira, L ; Elangovan, E; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
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