Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

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781
TÍTULO: Characterization of the density of states of polymorphous silicon films produced at 13.56 and 27.12 MHz using CPM and SCLC techniques  Full Text
AUTORES: Raniero, L; Pereira, L ; Zhang, S; Ferreira, I ; Aguas, H ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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782
TÍTULO: Composition, structure and optical characteristics of polymorphous silicon films deposited by PECVD at 27.12 MHz
AUTORES: Martins, R ; Aguas, H ; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Raniero, L; Cabarrocas, PRI;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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783
TÍTULO: Detection limits of a nip a-Si:H linear array position sensitive detector
AUTORES: Martins, R ; Costa, D; Aguas, H ; Soares, F; Marques, A; Ferreira, I ; Borges, P; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Amorphous and Nanocrystalline Silicon Science and Technology - 2004 in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 808
INDEXADO EM: Scopus
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784
TÍTULO: Effect of an interfacial oxide layer in the annealing behaviour of Au/a-Si : H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Ramos, AR ; Viana, AS ; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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785
TÍTULO: Effect of an interfacial oxide layer in the annealing behaviour of Au/a-Si:H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Águas, H; Pereira, L ; Ferreira, I; A.R Ramos; A.S Viana; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340
INDEXADO EM: CrossRef: 2
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786
TÍTULO: Effect of annealing on gold rectifying contacts in amorphous silicon
AUTORES: Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Ramos, AR ; Viana, AS ; Andreu, J; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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787
TÍTULO: Effect of Annealing on Gold Rectifying Contacts in Amorphous Silicon
AUTORES: Hugo Águas; Luís Pereira; Isabel Ferreira; A.R Ramos; A.S Viana; Andreu, J; Paula M Vilarinho; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: CrossRef: 1
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788
789
TÍTULO: Effect of the discharge frequency and impedance on the structural properties of polymorphous silicon  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nono-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
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790
TÍTULO: Effect of the tunnelling oxide growth by H2O2 oxidation on the performance of a-Si : H MIS photodiodes  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Perreira, L; Silva, RJC ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
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