811
TÍTULO: New developments in gallium doped zinc oxide deposited on polymeric substrates by RF magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Fortunato, E ; Goncalves, A; Marques, A; Viana, A ; Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Vilarinho, P ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Protective Coatings and Thin Films held at the E-MRS 20th Spring Meeting in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 180
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 51
812
TÍTULO: Next generation of thin film transistors based on zinc oxide
AUTORES: Fortunato, E ; Barquinha, P ; Pimentel, A ; Goncalves, A; Pereira, L ; Marques, A; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Integration of Advanced Micro-and Nanoelectronic Devices held at the 2004 MRS Spring Meeting in INTEGRATION OF ADVANCED MICRO-AND NANOELECTRONIC DEVICES-CRITICAL ISSUES AND SOLUTIONS, VOLUME: 811
INDEXADO EM: Scopus WOS
813
TÍTULO: Performances of hafnium oxide produced by radio frequency sputtering for gate dielectric application  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Marques, A; Aguas, H ; Nedev, N; Georgiev, S; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Functional Metal Oxides - Semiconductor Structures held at the E-MRS 2003 Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 109, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
814
TÍTULO: Physical Properties of Sputtered ITO and WO<sub>3</sub> Thin Films
AUTORES: Hai Ning Cui; Vasco Teixeira; A.C Monteiro; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins; Bertran, E;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: CrossRef: 2
815
TÍTULO: Physical properties of sputtered ITO and WO3 thin films
AUTORES: Cui, HN; Teixeira, V ; Monteiro, A; Fortunato, E ; Martins, R ; Bertran, E;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
816
TÍTULO: Polycrystalline silicon obtained by gold metal induced crystallization  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Martins, RM ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
817
TÍTULO: Polycrystalline silicon obtained by metal induced crystallization using different metals  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Martins, RMS; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 28
818
TÍTULO: Porous a/nc-Si : H films produced by HW-CVD as ethanol vapour detector and primary fuel cell  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Igreja, R ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 17th European Conference on Solid-State Transducers (Eurosensors XVII) in SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, VOLUME: 103, NÚMERO: 1-2
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819
TÍTULO: Properties of a-Si : H intrinsic films produced by HWPA-CVD technique  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
820
TÍTULO: Properties of a-Si : H TFTs using silicon carbonitride as dielectric  Full Text
AUTORES: Lavareda, G ; de Carvalho, CN ; Fortunato, E ; Amaral, A ; Ramos, AR ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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