João Pedro Estrela Rodrigues Conde


AuthID: R-000-7DS

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301
TÍTULO: Optoelectronic properties of high-gap amorphous silicon-carbon alloys
AUTORES: Chu, V; Conde, JP ; Brogueira, P ; Micaelo, P; Jarego, JP; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Proceedings of the 1995 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 377
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302
TÍTULO: TRANSPORT AND PHOTOLUMINESCENCE OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-CARBON ALLOYS  Full Text
AUTORES: CHU, V ; CONDE, JP ; JAREGO, J; BROGUEIRA, P ; RODRIGUEZ, J; BARRADAS, N ; SOARES, JC ;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 78, NÚMERO: 5
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303
TÍTULO: Transport and photoluminescence of hydrogenated amorphous silicon–carbon alloys  Full Text
AUTORES: Chu, V; Conde, JP ; Jarego, J; Brogueira, P ; Rodriguez, J; Barradas, N ; Soares, JC;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 78, NÚMERO: 5
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304
TÍTULO: Carrier lifetime in amorphous semiconductors  Full Text
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP ; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 75, NÚMERO: 11
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305
TÍTULO: CARRIER LIFETIME IN AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS  Full Text
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V ; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 75, NÚMERO: 11
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306
TÍTULO: PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON/AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM MULTILAYERS  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 75, NÚMERO: 3
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307
TÍTULO: Properties of amorphous silicon/amorphous silicon-germanium multilayers  Full Text
AUTORES: Conde, JP ; Chu, V; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 75, NÚMERO: 3
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308
TÍTULO: ANNEALING KINETICS OF A-SI-H DEPOSITED BY CONCENTRIC-ELECTRODE RF GLOW-DISCHARGE AT ROOM-TEMPERATURE  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHAN, KK; BLUM, JM; ARIENZO, M; MONTEIRO, PA; FERREIRA, JA ; CHU, V; WYRSH, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
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309
TÍTULO: Annealing kinetics of a-Si:H deposited by concentric-electrode rf glow discharge at room temperature  Full Text
AUTORES: Conde, JP ; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA ; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
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310
TÍTULO: DUAL-BEAM PHOTOCURRENT SPECTRA IN UNDOPED A-SI-H
AUTORES: LIU, JZ; LEWEN, G; CONDE, JP ; CABARROCAS, PRI;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1993 MRS Spring Meeting of the Materials-Research-Society in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY-1993, VOLUME: 297
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