331
TÍTULO: Dangling-bond states in a-Si,Ge:H,F measured by temperature-dependent μτ  Full Text
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP ; Chu, V; Liu, JZ; Maruyama, A; Aljishi, S; Smith, ZE; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
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332
TÍTULO: Determination of the D 0/− level in amorphous Si,Ge:H(F) by time-of-flight charge collection  Full Text
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP ; Chu, V; Liu, JZ; Aljishi, S; Smith, ZE; Maruyama, A; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 53, NÚMERO: 16
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333
TÍTULO: DETERMINATION OF THE DO/- LEVEL IN AMORPHOUS SI,GE-H(F) BY TIME-OF-FLIGHT CHARGE COLLECTION  Full Text
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V; LIU, JZ; ALJISHI, S; SMITH, ZE; MARUYAMA, A; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 53, NÚMERO: 16
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334
TÍTULO: OPTICAL AND TRANSPORT-PROPERTIES OF A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES
AUTORES: CONDE, JP ; ALJISHI, S; CHU, V; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: SOLAR CELLS, VOLUME: 24, NÚMERO: 3-4
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335
TÍTULO: SIMPLE PROCEDURE FOR GENERATING SEQUENCES OF DAILY RADIATION VALUES USING A LIBRARY OF MARKOV TRANSITION MATRICES  Full Text
AUTORES: AGUIAR, RJ; COLLARESPEREIRA, M; CONDE, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: SOLAR ENERGY, VOLUME: 40, NÚMERO: 3
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336
TÍTULO: A-SI:H,F/A-SI,GE:H,F SUPERLATTICES AS LOW BANDGAP ABSORBERS FOR SOLAR CELLS.
AUTORES: Conde, JP ; Chu, V; Aljishi, S; Shen, DS; Smith, ZE; Kolodzey, J; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Conference Record of the Nineteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1987. in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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337
TÍTULO: CARRIER TRANSPORT MECHANISMS IN A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; ALJISHI, S; SHEN, DS; ANGELL, M; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 97-8, NÚMERO: PART 2
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338
TÍTULO: ELECTRON COLLECTION EFFICIENCY OF A-SI,GE:H,F AT 300K TO 400K.
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP ; Aljishi, S; Smith, ZE; Chu, V; Kolodzey, J; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Conference Record of the Nineteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1987. in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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339
TÍTULO: FEMTOSECOND SPECTROSCOPY IN AMORPHOUS-SILICON AND SILICON-GERMANIUM ALLOYS  Full Text
AUTORES: FAUCHET, PM; HULIN, D; MIGUS, A; ANTONETTI, A; CONDE, JP ; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 97-8, NÚMERO: PART 1
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340
TÍTULO: SCHOTTKY BARRIER DEVICES ON A-SI,GE:H,F ALLOYS.
AUTORES: Chu, V; Aljishi, S; Conde, JP ; Smith, ZE; Shen, DS; Slobodin, D; Kolodzey, J; Wronski, CR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Conference Record of the Nineteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1987. in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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