Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 298



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TÍTULO: Ion-beam induced effects in multi-layered semiconductor systems
AUTORES: Wendler, E; Sobolev, NA; Redondo Cubero, A; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 253, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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92
TÍTULO: Mechanisms of Implantation Damage Formation in AlxGa1-xN Compounds
AUTORES: Nd. N Faye; Wendler, E; Felizardo, M ; Magalhaes, S; Alves, E ; Brunner, F; Weyers, M; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 16
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93
TÍTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N
AUTORES: Magalha∼es, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: Scopus
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TÍTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: WOS
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TÍTULO: Quantum Well Intermixing and Radiation Effects in InGaN/GaN Multi Quantum Wells
AUTORES: Lorenz, K ; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E ; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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TÍTULO: Self-organised silicide nanodot patterning by medium-energy ion beam sputtering of Si (100): local correlation between the morphology and metal content
AUTORES: Redondo Cubero, A; Galiana, B; Lorenz, K ; Palomares, FJ; Bahena, D; Ballesteros, C; Hernandez Calderon, I; Vazquez, L;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 44
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
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TÍTULO: Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted AlxGa1-xN layers  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Esteves, TC; Santos, NF; Ben Sedrine, N; Rino, L; Neves, AJ; Lorenz, K ; Alves, E ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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98
TÍTULO: Study of damage formation and annealing of implanted III-nitride semiconductors for optoelectronic devices  Full Text
AUTORES: Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Alves, E ; Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Correia, MR; Monteiro, T ; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 379
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Utilization of native oxygen in Eu(RE)-doped GaN for enabling device compatibility in optoelectronic applications  Full Text
AUTORES: Mitchell, B; Timmerman, D; Poplawsky, J; Zhu, W; Lee, D; Wakamatsu, R; Takatsu, J; Matsuda, M; Guo, W; Lorenz, K ; Alves, E ; Koizumi, A; Dierolf, V; Fujiwara, Y;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 6
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100
TÍTULO: Analysis of the stability of InGaN/GaN multiquantum wells against ion beam intermixing  Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K ; Wendler, E; Magalhães, S; Alves, E ; Carvalho, D; Ben, T; Morales, FM; García, R; O’Donnell, KP; Wetzel, C;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: Nanotechnology, VOLUME: 26, NÚMERO: 42
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