Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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101
TÍTULO: Effect of AlN content on the lattice site location of terbium ions in AlxGa1-xN compounds  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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102
TÍTULO: Identifying the influence of the intrinsic defects in Gd-doped ZnO thin-films  Full Text
AUTORES: Flemban, TH; Sequeira, MC; Zhang, Z; Venkatesh, S; Alves, E ; Lorenz, K ; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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103
TÍTULO: Impact of implantation geometry and fluence on structural properties of AlxGa1-xN implanted with thulium  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
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104
TÍTULO: Ion-beam induced effects in multi-layered semiconductor systems
AUTORES: Wendler, E; Sobolev, NA; Redondo Cubero, A; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 253, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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105
TÍTULO: Mechanisms of Implantation Damage Formation in AlxGa1-xN Compounds
AUTORES: Nd. N Faye; Wendler, E; Felizardo, M ; Magalhaes, S; Alves, E ; Brunner, F; Weyers, M; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 16
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106
TÍTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: WOS
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107
TÍTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N
AUTORES: Magalha∼es, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: Scopus
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108
TÍTULO: Quantum Well Intermixing and Radiation Effects in InGaN/GaN Multi Quantum Wells
AUTORES: Lorenz, K ; Redondo Cubero, A; Lourenco, MB; Sequeira, MC; Peres, M; Freitas, A; Alves, LC; Alves, E ; Leitao, MP; Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Correia, MR; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices XI in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES XI, VOLUME: 9748
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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109
TÍTULO: Self-organised silicide nanodot patterning by medium-energy ion beam sputtering of Si (100): local correlation between the morphology and metal content
AUTORES: Redondo Cubero, A; Galiana, B; Lorenz, K ; Palomares, FJ; Bahena, D; Ballesteros, C; Hernandez Calderon, I; Vazquez, L;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 27, NÚMERO: 44
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
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110
TÍTULO: Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted AlxGa1-xN layers  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Esteves, TC; Santos, NF; Ben Sedrine, N; Rino, L; Neves, AJ; Lorenz, K ; Alves, E ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 8
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