Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 298



121
TÍTULO: Intense luminescence emission from rare-earth-doped MoO3 nanoplates and lamellar crystals for optoelectronic applications  Full Text
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Jerez, D; Lorenz, K ; Piqueras, J; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 35
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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122
TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: WOS CrossRef
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TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review (vol 53, 060901, 2014)
AUTORES: Jose G Marques; Katharina Lorenz ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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124
TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: an integrated review
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus
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126
TÍTULO: Sequential multiple-step europium ion implantation and annealing of GaN. Sequential multiple-step europium ion implantation and annealing of GaN  Full Text
AUTORES: Miranda, SMC; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Bockowski, M; Alves, E ; Roqan, IS; Vantomme, A; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: E-MRS Spring Meeting / Symposium J - Semicond Nanostructures towards Elect and Optoelectron Device Applicat - IV / Symposium L - Grp III Nitrides / Symposium P - Funct Nanowires - Synth, Characterizat and Applicat in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 2, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
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127
TÍTULO: Structural and optical properties of Ga auto-incorporated InAlN epilayers  Full Text
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K ; Li, HN; Alves, E ; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
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128
TÍTULO: Study of the relationship between crystal structure and luminescence in rare-earth-implanted Ga2O3 nanowires during annealing treatments  Full Text
AUTORES: Lopez, I; Lorenz, K ; Nogales, E; Mendez, B; Piqueras, J; Alves, E ; Garcia, JA;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 49, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS
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129
TÍTULO: ZnO micro/nanocrystals grown by Laser Assisted Flow Deposition
AUTORES: Rodrigues, J; Fernandes, AJS; Mata, D; Holz, T; Carvalho, RG; Fath F Allah; Ben, T; Gonzalez, D; Silva, RF ; da Cunha, AF; Correia, MR; Alves, LC; Lorenz, K ; Neves, AJ; Costa, FM; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
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130
TÍTULO: A comparative study of photo-, cathodo- and ionoluminescence of GaN nanowires implanted with rare earth ions  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Miranda, SMC; Peres, M; Nogales, E; Alves, LC; Alves, E ; Tourbot, G; Daudin, B; Mendez, B; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 306
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