Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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151
TÍTULO: Cd doping of AlN via ion implantation studied with perturbed angular correlation  Full Text
AUTORES: Kessler, P; Lorenz, K ; Miranda, SMC; Simon, R; Correia, JG ; Johnston, K; Vianden, R; Isolde collaboration the;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Symposium F on Group III Nitrides and their Heterostructures for Electronics and Photonics/ICAM IUMRS Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4, VOLUME: 9, NÚMERO: 3-4
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152
TÍTULO: Cd ion implantation in AlN  Full Text
AUTORES: Miranda, SMC; Franco, N; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 289
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153
TÍTULO: Characterization of InGaN and InAlN epilayers by microdiffraction X-ray reciprocal space mapping
AUTORES: Kachkanov, V; Dolbnya, IP; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Pereira, S ; Martin, RW; Edwards, PR; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 2011 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1396
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154
TÍTULO: Damage formation and recovery in Fe implanted 6H-SiC  Full Text
AUTORES: Miranda, P; Wahl, U ; Catarino, N; Lorenz, K ; Correia, JG ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 16th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 286
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155
TÍTULO: Damage formation in GaN under medium energy range implantation of rare earth ions: A combined TEM, XRD and RBS/C investigation
AUTORES: Lacroix, B; Leclerc, S; Ruterana, P; Declemy, A; Miranda, SMC; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 2011 MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1342
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156
TÍTULO: Doped gallium oxide nanowires for photonics
AUTORES: Nogales, E; Lopez, I; Mendez, B; Piqueras, J; Lorenz, K ; Alves, E ; Garcia, JA;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Conference on Oxide-Based Materials and Devices III in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES III, VOLUME: 8263
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157
TÍTULO: Enhanced dynamic annealing and optical activation of Eu implanted a-plane GaN
AUTORES: Catarino, N; Nogales, E; Franco, N; Darakchieva, V; Miranda, SMC; Mendez, B; Alves, E ; Marques, JG ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: EPL, VOLUME: 97, NÚMERO: 6
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158
TÍTULO: High precision determination of the InN content of Al1-xInxN thin films by Rutherford backscattering spectrometry  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Barradas, NP ; Alves, E ; Watson, IM; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 273
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159
TÍTULO: High precision determination of the InN content of Al1−xInxN thin films by Rutherford backscattering spectrometry  Full Text
AUTORES: Magalhães, S; N.P Barradas; Alves, E ; I.M Watson; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 273
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160
TÍTULO: High pressure annealing of Europium implanted GaN
AUTORES: Lorenz, K ; Miranda, SMC; Alves, E ; Roqan, IS; O'Donnell, KP; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Conference on Gallium Nitride Materials and Devices VII in GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES VII, VOLUME: 8262
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