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TÃTULO: Microprobe analysis, iono- and photo-luminescence of Mn2+ activated ZnGa2O4 fibres Full Text
AUTORES: Santos, NF; Fernandes, AJS; Alves, LC; Sobolev, NA; Alves, E ; Lorenz, K ; Costa, FM ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 306

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TÃTULO: Nanostructures and thin films of transparent conductive oxides studied by perturbed angular correlations Full Text
AUTORES: Barbosa, MB; Goncalves, JN ; Redondo Cubero, A ; Miranda, SMC; Simon, R; Kessler, P; Brandt, M; Henneberger, F; Nogales, E; Mendez, B; Johnston, K; Alves, E ; Vianden, R; Araujo, JP ; Lorenz, K ; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 250, NÚMERO: 4

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TÃTULO: On the origin of strain relaxation in epitaxial CdZnO layers
AUTORES: Redondo Cubero, A; Rodrigues, J; Brandt, M; Schaefer, P; Henneberger, F; Correia, MR ; Monteiro, T ; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Conference on Oxide-Based Materials and Devices IV in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES IV, VOLUME: 8626

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TÃTULO: On the origin of strain relaxation in epitaxial CdZnO layers
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Rodrigues, J; Brandt, M; Schäfer, P; Henneberger, F; Correia, MR; Monteiro, T ; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Oxide-based Materials and Devices IV

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TÃTULO: Selective ion-induced intermixing and damage in low-dimensional GaN/AlN quantum structures Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A; Lorenz, K ; Wendler, E; Carvalho, D; Ben, T; Morales, FM; Garcia, R; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 24, NÚMERO: 50

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TÃTULO: Selective ion-induced intermixing and damage in low-dimensional GaN/AlN quantum structures Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K ; Wendler, E; Carvalho, D; Ben, T; Morales, FM; García, R; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Nanotechnology, VOLUME: 24, NÚMERO: 50

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TÃTULO: Structural and luminescence properties of Eu and Er implanted Bi2O3 nanowires for optoelectronic applications Full Text
AUTORES: Maria Vila; Carlos Diaz Guerra; Katharina Lorenz ; Javier Piqueras; Eduardo Alves ; Silvia Nappini; Elena Magnano;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 1, NÚMERO: 47

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TÃTULO: Study of the relationship between crystal structure and luminescence in rare-earth-implanted Ga2O3 nanowires during annealing treatments Full Text
AUTORES: López, I; Lorenz, K ; Nogales, E; Méndez, B; Piqueras, J; Alves, E ; García, JA;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: J Mater Sci - Journal of Materials Science, VOLUME: 49, NÚMERO: 3

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TÃTULO: Temperature-Dependent Hysteresis of the Emission Spectrum of Eu-implanted, Mg-doped HVPE GaN Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Edwards, PR; Lorenz, K ; Alves, E; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) in PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, VOLUME: 1566

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