Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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171
TÍTULO: <title>Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>
AUTORES: Lorenz, K ; Peres, M; Franco, N; Marques, JG ; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T ; Wesch, W; Alves, E ; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
INDEXADO EM: CrossRef: 30
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172
TÍTULO: A Double Scattering Analytical Model For Elastic Recoil Detection Analysis  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Lorenz, K ; Darakchieva, V; Alves, E ; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 21st International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY: TWENTY-FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE, VOLUME: 1336
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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173
TÍTULO: A mechanism for damage formation in GaN during rare earth ion implantation at medium range energy and room temperature  Full Text
AUTORES: Ruterana, P; Lacroix, B; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 1
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174
TÍTULO: Band gap engineering approaches to increase InGaN/GaN LED efficiency
AUTORES: Auf Der Maur, M; Di Carlo, A; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 11th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 2011 in Proceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD
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175
TÍTULO: Cathodoluminescence of rare earth implanted Ga2O3 and GeO2 nanostructures  Full Text
AUTORES: Nogales, E; Hidalgo, P; Lorenz, K ; Mendez, B; Piqueras, J; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 22, NÚMERO: 28
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176
TÍTULO: Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ ; Alves, E ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: NANOSCALE RESEARCH LETTERS, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
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177
TÍTULO: Free electron properties and hydrogen in InN grown by MOVPE  Full Text
AUTORES: Darakchieva, V; Y Xie; Rogalla, D; W Becker; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruffenach, S; Moret, M; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 208, NÚMERO: 5
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178
TÍTULO: Hydrogen In Group-III Nitrides: An Ion Beam Analysis Study  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Miranda, SMC; Barradas, NP ; Alves, E ; Nanishi, Y; Schaff, WJ; Tu, LW; Darakchieva, V; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 21st International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY: TWENTY-FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE, VOLUME: 1336
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179
TÍTULO: Implanted impurities in wide band gap semiconductors
AUTORES: Kessler, P; Lorenz, K ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum, VOLUME: 311
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180
TÍTULO: Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
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Página 18 de 30. Total de resultados: 298.

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