Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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181
TÍTULO: Mechanisms of damage formation in Eu-implanted GaN probed by X-ray diffraction
AUTORES: Lacroix, B; Leclerc, S; Declemy, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: EPL, VOLUME: 96, NÚMERO: 4
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182
TÍTULO: Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO
AUTORES: Lorenz, K ; Peres, M; Franco, N; Marques, JG ; Miranda, SMC; Magalhaes, S; Monteiro, T ; Wesch, W; Alves, E ; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices II in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES II, VOLUME: 7940
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183
TÍTULO: Rapid thermal annealing of rare earth implanted ZnO epitaxial layers  Full Text
AUTORES: Miranda, SMC; Peres, M; Monteiro, T ; Alves, E ; Sun, HD; Geruschke, T; Vianden, R; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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184
TÍTULO: Structural and optical properties of Er implanted AlN thin films: Green and infrared photoluminescence at room temperature  Full Text
AUTORES: Soares, MJ ; Leitao, JP ; da Silva, MIN; Gonzalez, JC; Matinaga, FM; Lorenz, K ; Alves, E ; Peres, M; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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185
186
TÍTULO: The high sensitivity of InN under rare earth ion implantation at medium range energy  Full Text
AUTORES: Lacroix, B; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ; Syrkin, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 44, NÚMERO: 29
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187
TÍTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN  Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Roqan, IS; Ke Wang; Lorenz, K ; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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188
TÍTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN  Full Text
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K ; Alves, E ; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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189
TÍTULO: The role of the annealing temperature on the optical and structural properties of Eu doped GaN/AlN QD  Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Rodrigues, J; Soares, MJ ; Fellmann, V; Neves, AJ ; Alves, E ; Daudin, B; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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190
TÍTULO: Unintentional incorporation of hydrogen in wurtzite InN with different surface orientations  Full Text
AUTORES: Darakchieva, V; Lorenz, K ; Y Xie; Alves, E ; Hsiao, CL; Chen, LC; Tu, LW; Schaff, WJ; Yamaguchi, T; Nanishi, Y;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 110, NÚMERO: 6
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Página 19 de 30. Total de resultados: 298.

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