Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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181
TÍTULO: Rare earth co-doping nitride layers for visible light  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Miranda, SMC; Santos, NF; Neves, AJ ; Alves, E ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, VOLUME: 134, NÚMERO: 2-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
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182
TÍTULO: Single phase a-plane MgZnO epilayers for UV optoelectronics: substitutional behaviour of Mg at large contents  Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Hierro, A; J.-M Chauveau; Lorenz, K ; Tabares, G; Franco, N; Alves, E ; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: CrystEngComm, VOLUME: 14, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: CrossRef
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183
TÍTULO: Single phase alpha-plane MgZnO epilayers for UV optoelectronics: substitutional behaviour of Mg at large contents
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Hierro, A; M Chauveau; Lorenz, K ; Tabares, G; Franco, N; Alves, E ; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: CRYSTENGCOMM, VOLUME: 14, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS
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184
TÍTULO: Unintentional incorporation of H and related structural and free-electron properties of c- and a-plane InN  Full Text
AUTORES: Darakchieva, V; Lorenz, K ; Y Xie; Alves, E ; Schaff, WJ; Yamaguchi, T; Nanishi, Y; Ruffenach, S; Moret, M; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 209, NÚMERO: 1
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185
TÍTULO: <title>Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>
AUTORES: Lorenz, K ; Peres, M; Franco, N; Marques, JG ; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T ; Wesch, W; Alves, E ; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
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186
TÍTULO: A Double Scattering Analytical Model For Elastic Recoil Detection Analysis  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Lorenz, K ; Darakchieva, V; Alves, E ; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 21st International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY: TWENTY-FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE, VOLUME: 1336
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187
TÍTULO: A mechanism for damage formation in GaN during rare earth ion implantation at medium range energy and room temperature  Full Text
AUTORES: Ruterana, P; Lacroix, B; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 1
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188
TÍTULO: Band gap engineering approaches to increase InGaN/GaN LED efficiency
AUTORES: Auf Der Maur, M; Di Carlo, A; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 11th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 2011 in Proceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD
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189
TÍTULO: Cathodoluminescence of rare earth implanted Ga2O3 and GeO2 nanostructures  Full Text
AUTORES: Nogales, E; Hidalgo, P; Lorenz, K ; Mendez, B; Piqueras, J; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 22, NÚMERO: 28
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190
TÍTULO: Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ ; Alves, E ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: NANOSCALE RESEARCH LETTERS, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
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