Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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191
TÍTULO: Free electron properties and hydrogen in InN grown by MOVPE  Full Text
AUTORES: Darakchieva, V; Y Xie; Rogalla, D; W Becker; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruffenach, S; Moret, M; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 208, NÚMERO: 5
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192
TÍTULO: Hydrogen In Group-III Nitrides: An Ion Beam Analysis Study  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Miranda, SMC; Barradas, NP ; Alves, E ; Nanishi, Y; Schaff, WJ; Tu, LW; Darakchieva, V; Floyd D McDaniel; Barney L Doyle;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 21st International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY: TWENTY-FIRST INTERNATIONAL CONFERENCE, VOLUME: 1336
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193
TÍTULO: Implanted impurities in wide band gap semiconductors
AUTORES: Kessler, P; Lorenz, K ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum, VOLUME: 311
INDEXADO EM: Scopus
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194
TÍTULO: Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
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195
TÍTULO: Mechanisms of damage formation in Eu-implanted GaN probed by X-ray diffraction
AUTORES: Lacroix, B; Leclerc, S; Declemy, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: EPL, VOLUME: 96, NÚMERO: 4
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196
TÍTULO: Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO
AUTORES: Lorenz, K ; Peres, M; Franco, N; Marques, JG ; Miranda, SMC; Magalhaes, S; Monteiro, T ; Wesch, W; Alves, E ; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices II in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES II, VOLUME: 7940
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197
TÍTULO: Rapid thermal annealing of rare earth implanted ZnO epitaxial layers  Full Text
AUTORES: Miranda, SMC; Peres, M; Monteiro, T ; Alves, E ; Sun, HD; Geruschke, T; Vianden, R; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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198
TÍTULO: Structural and optical properties of Er implanted AlN thin films: Green and infrared photoluminescence at room temperature  Full Text
AUTORES: Soares, MJ ; Leitao, JP ; da Silva, MIN; Gonzalez, JC; Matinaga, FM; Lorenz, K ; Alves, E ; Peres, M; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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200
TÍTULO: The high sensitivity of InN under rare earth ion implantation at medium range energy  Full Text
AUTORES: Lacroix, B; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ; Syrkin, A;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 44, NÚMERO: 29
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