231
TÍTULO: Europium doping of zincblende GaN by ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Roqan, IS; Franco, N; O'Donnell, KP; Darakchieva, V; Alves, E ; Trager Cowan, C; Martin, RW; As, DJ; Panfilova, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 11
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232
TÍTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 42, NÚMERO: 6
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233
TÍTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling  Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K ; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 42, NÚMERO: 6
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234
TÍTULO: Influence of the AlN molar fraction on the structural and optical properties of praseodymium-doped AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) alloys  Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Franco, N; Soares, MJ ; Neves, AJ ; Alves, E ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications held at the 2008 E-MRS Conference in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 40, NÚMERO: 2
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235
TÍTULO: Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layers  Full Text
AUTORES: Tasco, V; Campa, A; Tarantini, I; Passaseo, A; Gonzalez Posada, F; Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 6
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236
TÍTULO: Lattice location and annealing studies of Hf implanted CaF2  Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 267, NÚMERO: 8-9
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237
TÍTULO: Luminescence of Eu ions in AlxGa1-xN across the entire alloy composition range
AUTORES: Wang, K; O'Donnell, KP; Hourahine, B; Martin, RW; Watson, IM; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 80, NÚMERO: 12
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238
TÍTULO: Optical and structural properties of Eu-implanted InxAl1-xN  Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Martin, RW; Trager Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
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239
TÍTULO: Optical and structural properties of Eu-implanted In[sub x]Al[sub 1−x]N  Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O’Donnell, KP; Martin, RW; Trager-Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
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240
TÍTULO: Optically active centers in Eu implanted, Eu in situ doped GaN, and Eu doped GaN quantum dots  Full Text
AUTORES: Bodiou, L; Braud, A; L Doualan; Moncorge, R; Park, JH; Munasinghe, C; Steckl, AJ; Lorenz, K ; Alves, E ; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 4
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