261
TÍTULO: Spectroscopic investigation of implanted epilayers of Tm3+ : GaN  Full Text
AUTORES: Bodiou, L; Braud, A; Terpin, C; Doualan, JL; Moncorge, R; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 122, NÚMERO: 1-2
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262
TÍTULO: Structural and optical characterisation of Eu implanted AlxGa1-xN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Monteiro, T ; Cruz, A; Peres, M;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: 15th International Conference on Ion Beam Modification of Materials in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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263
TÍTULO: Temperature dependence of the electric field gradient in GaN measured with the PAC-probe (181)Hf  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Geruschke, T; Alves, E ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: HYPERFINE INTERACTIONS, VOLUME: 177, NÚMERO: 1-3
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264
TÍTULO: A microspectroscopic study of cap damage in annealed RE-doped AlN-capped GaN
AUTORES: Nogales, E; Lorenz, K ; Wang, K; Roqan, IS; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 2005 Materials Research Society Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 892
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265
TÍTULO: Anomalous ion channeling in AlInN/GaN bilayers: Determination of the strain state
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 97, NÚMERO: 8
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266
TÍTULO: Behaviour of the AlN cap during GaN implantation of rare earths and annealing  Full Text
AUTORES: Florence Gloux; Tomasz Wojtowicz; Pierre Ruterana; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Interfacial Processes and Properties of Advanced Materials held at the 2005 E-MRS Fall Meeting in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 203, NÚMERO: 9
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267
TÍTULO: Blue cathodoluminescence from thulium implanted AlxGa1-xN and InxAl1-xN  Full Text
AUTORES: Roqan, IS; Lorenz, K ; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Martin, RW; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
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268
TÍTULO: Cathodoluminescence of rare earth implanted AlInN  Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 89, NÚMERO: 13
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269
TÍTULO: Characterization of the blue emission of Tm/Er co-implanted GaN
AUTORES: Roqan, IS; Trager Cowan, C; Hourahine, B; Lorenz, K ; Nogales, E; O'Donnell, KP; Martin, RW; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 2005 Materials Research Society Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 892
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270
TÍTULO: Defect production in neutron irradiated GaN  Full Text
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 17th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
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