Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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281
TÍTULO: Electron micro-probe analysis and cathodoluminescence spectroscopy of rare earth implanted GaN
AUTORES: Dalmasso, S; Martin, RW; Edwards, PR; Katchkanov, V; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Pipeleers, B; Matias, V; Vantomme, A; Nakanishi, Y; Wakahara, A; Yoshida, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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282
TÍTULO: High temperature implantation of Tm in GaN
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 6
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283
TÍTULO: Implantation and annealing studies of Tm-implanted GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Wahl, U ; Monteiro, T ; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
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284
TÍTULO: Lattice location and optical activation of rare earth implanted GaN  Full Text
AUTORES: Wahl, U ; Alves, E ; Lorenz, K ; Correia, JG ; Monteiro, T ; De Vries, B; Vantomme, A; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society (EMRS) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 105, NÚMERO: 1-3
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285
TÍTULO: Processing of rare earth doped GaN with ion beams
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Ruffenach, S; Briot, O; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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286
TÍTULO: Defect recovery in AIN and InN after heavy ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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287
TÍTULO: Gallium nitride epitaxy on (0001) sapphire
AUTORES: Narayanan V.; Lorenz K. ; Wook Kim; Mahajan S.;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Philosophical Magazine A: Physics of Condensed Matter, Structure, Defects and Mechanical Properties, VOLUME: 82, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 40
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288
TÍTULO: Gallium nitride epitaxy on (0001) sapphire  Full Text
AUTORES: Narayanan V.; Lorenz K. ; Wook Kim; Mahajan S.;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Philosophical Magazine A Physics of Condensed Matter Structure Defects and Mechanical Properties, VOLUME: 82, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 4
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289
TÍTULO: Reversible changes in the lattice site structure for In implanted into GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 24
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290
TÍTULO: Annealing behaviour of GaN after implantation with hafnium and indium  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica Status Solidi (B) Basic Research, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
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