Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 314



301
TÍTULO: Processing of rare earth doped GaN with ion beams
AUTORES: Lorenz, K ; Wahl, U ; Alves, E ; Wojtowicz, T; Ruterana, P; Dalmasso, S; Martin, RW; O'Donnell, KP; Ruffenach, S; Briot, O; Vantomme, A;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Symposium on GaN and Related Alloys held at the MRS Fall Meeting in GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, VOLUME: 798
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302
TÍTULO: Defect recovery in AIN and InN after heavy ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002) in INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, NÚMERO: 1
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303
TÍTULO: Gallium nitride epitaxy on (0001) sapphire
AUTORES: Narayanan V.; Lorenz K. ; Wook Kim; Mahajan S.;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Philosophical Magazine A: Physics of Condensed Matter, Structure, Defects and Mechanical Properties, VOLUME: 82, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 40
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304
TÍTULO: Gallium nitride epitaxy on (0001) sapphire  Full Text
AUTORES: Narayanan V.; Lorenz K. ; Wook Kim; Mahajan S.;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Philosophical Magazine A Physics of Condensed Matter Structure Defects and Mechanical Properties, VOLUME: 82, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 4
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305
TÍTULO: Reversible changes in the lattice site structure for In implanted into GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 24
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306
TÍTULO: Annealing behaviour of GaN after implantation with hafnium and indium  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physica Status Solidi (B) Basic Research, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
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307
TÍTULO: Annealing behaviour of GaN after implantation with hafnium and indium  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Ruske, F; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 228, NÚMERO: 1
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308
TÍTULO: Dopants in semiconductors studied by perturbed angular correlation
AUTORES: Bartels, J; Lorenz, K ; Ruske, F; Tessema, G; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 36th Zakopane-School-of-Physics International Symposium on Condensed Matter Studies with Nuclear Methods in ACTA PHYSICA POLONICA A, VOLUME: 100, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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309
TÍTULO: Extended x-ray absorption fine structure and photoluminescence study of Er-implanted GaN films
AUTORES: Wruck, D; Lorenz, K ; Vianden, R; Reinhold, B; Mahnke, HE; Baranowski, JM; Pakula, K; Parthier, L; Henneberger, F;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 16, NÚMERO: 11
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310
TÍTULO: Optical doping of nitrides by ion implantation  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Lorenz, K ; Vianden, R; Boemare, C; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
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