Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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71
TÍTULO: Defect formation and optical activation of Tb implanted AlxGa1-xN films using channeled implantation at different temperatures  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Rodrigues, J; Chauvat, MP; Ruterana, P; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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72
TÍTULO: Editorial  Full Text
AUTORES: Eduardo Alves ; Katharina Lorenz ; Wolfgang Einsinger; Daryush Ila;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Surface and Coatings Technology, VOLUME: 355
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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73
TÍTULO: Electrical characterization of molybdenum oxide lamellar crystals irradiated with UV light and proton beams  Full Text
AUTORES: Pereira, DR; Peres, M; Alves, LC; Correia, JG; Diaz Guerra, C; Silva, AG ; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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74
TÍTULO: Eu-Doped AlGaN/GaN Superlattice-Based Diode Structure for Red Lighting: Excitation Mechanisms and Active Sites
AUTORES: Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Faye, DN; Neves, AJ; Alves, E ; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K ; Correia, MR; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: ACS APPLIED NANO MATERIALS, VOLUME: 1, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 13 Handle
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75
TÍTULO: Eu-Mg defects and donor-acceptor pairs in GaN: photodissociation and the excitation transfer problem
AUTORES: Singh, AK; O'Donnell, KP; Edwards, PR; Lorenz, K ; Leach, JH; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 51, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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76
TÍTULO: GaN/AlGaN multiple quantum wells grown on transparent and conductive (-201)-oriented beta-Ga2O3 substrate for UV vertical light emitting devices
AUTORES: Ajia, IA; Yamashita, Y; Lorenz, K ; Muhammed, MM; Spasevski, L; Almalawi, D; Xu, J; Iizuka, K; Morishima, Y; Anjum, DH; Wei, N; Martin, RW; Kuramata, A; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 113, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 46
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77
TÍTULO: Hysteretic Photochromic Switching (HPS) in Doubly Doped GaN(Mg):EuA Summary of Recent Results
AUTORES: Edwards, PR; O'Donnell, KP; Singh, AK; Cameron, D; Lorenz, K ; Yamaga, M; Leach, JH; Kappers, MJ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: MATERIALS, VOLUME: 11, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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78
TÍTULO: In Situ Characterization and Modification of -Ga2O3 Flakes Using an Ion Micro-Probe  Full Text
AUTORES: Peres, M; Alves, LC; Rocha, F; Catarino, N; Cruz, C; Alves, E ; Silva, AG ; Villora, EG; Shimamura, K; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 215, NÚMERO: 19
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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79
TÍTULO: Multiple optical centers in Eu-implanted AlN nanowires for solid-state lighting applications
AUTORES: Cardoso, J; Ben Sedrine, N; Alves, A; Martins, MA; Belloeil, M; Daudin, B; Faye, DN; Alves, E ; Lorenz, K ; Neves, AJ; Correia, MR; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 113, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8 Handle
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80
TÍTULO: Optical investigations of europium ion implanted in nitride-based diode structures  Full Text
AUTORES: Ben Sedrine, N; Rodrigues, J; Cardoso, J; Faye, DN; Fialho, M; Magalhaes, S; Martins, AF; Neves, AJ; Alves, E ; Bockowski, M; Hoffmann, V; Weyers, M; Lorenz, K ; Correia, MR; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB) in SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, VOLUME: 355
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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