Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 298



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TÍTULO: Validity of Vegard's rule for Al1-xInxN (0.08 < x < 0.28) thin films grown on GaN templates  Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T ; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 10
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82
TÍTULO: Validity of Vegard's rule for Al1-xInxN (0.08 < x < 0.28) thin films grown on GaN templates  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: WOS
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83
TÍTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al 0.15 Ga 0.85 N   Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 49, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: CrossRef
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TÍTULO: Analysis of the Tb3+ recombination in ion implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) layers  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Correia, MR; Rino, L; Alves, E ; Neves, AJ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 178
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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85
TÍTULO: Correction to "Spectroscopic Analysis of Eu 3+ Implanted and Annealed GaN Layers and Nanowires"
AUTORES: Rodrigues, J; Leitão, MF; Carreira, JFC; Ben Sedrine, N; Santos, NF; Felizardo, M ; Auzelle, T; Daudin, B; Alves, E ; Neves, AJ; Correia, MR; Costa, FM; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 3
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86
TÍTULO: Crystalfield symmetries of luminescent Eu3+ centers in GaN: The importance of the D-5(0) to F-7(1) transition  Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Edwards, PR; Yamaga, M; Lorenz, K ; Kappers, MJ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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87
TÍTULO: Direct Measurement of Polarization-Induced Fields in GaN/AlN by Nano-Beam Electron Diffraction  Full Text
AUTORES: Daniel Carvalho; Knut Mueller Caspary; Marco Schowalter; Tim Grieb; Thorsten Mehrtens; Andreas Rosenauer; Teresa Ben; Rafael Garcia; Andres Redondo Cubero; Katharina Lorenz ; Bruno Daudin; Francisco M Morales;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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88
TÍTULO: Effect of AlN content on the lattice site location of terbium ions in AlxGa1-xN compounds  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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89
TÍTULO: Identifying the influence of the intrinsic defects in Gd-doped ZnO thin-films  Full Text
AUTORES: Flemban, TH; Sequeira, MC; Zhang, Z; Venkatesh, S; Alves, E ; Lorenz, K ; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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90
TÍTULO: Impact of implantation geometry and fluence on structural properties of AlxGa1-xN implanted with thulium  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Magalhaes, S; Chauvat, MP; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
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