Maria Celeste da Silva do Carmo
AuthID: R-000-AQ5
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TÃTULO: Radiation hardness of InGaAs/GaAs quantum dots Full Text
AUTORES: Guffarth, F; Heitz, R; Geller, M; Kapteyn, C; Born, H; Sellin, R; Hoffmann, A; Bimberg, D; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 82, NÚMERO: 12
AUTORES: Guffarth, F; Heitz, R; Geller, M; Kapteyn, C; Born, H; Sellin, R; Hoffmann, A; Bimberg, D; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 82, NÚMERO: 12
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TÃTULO: Pulsed laser annealing of Si-Ge superlattices Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Ivlev, GD; Gatskevich, EI; Leitao, JP ; Fonseca, A; Carmo, MC; Lopes, AB ; Sharaev, DN; Kibbel, H; Presting, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-BIOMIMETIC AND SUPRAMOLECULAR SYSTEMS, VOLUME: 23, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Sobolev, NA; Ivlev, GD; Gatskevich, EI; Leitao, JP ; Fonseca, A; Carmo, MC; Lopes, AB ; Sharaev, DN; Kibbel, H; Presting, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-BIOMIMETIC AND SUPRAMOLECULAR SYSTEMS, VOLUME: 23, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Carrier dynamics in particle-irradiated InGaAs/GaAs quantum dots Full Text
AUTORES: Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Guffarth, F; Born, H; Heitz, R; Hoffmann, A; Bimberg, D;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots in 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS, NÚMERO: 4
AUTORES: Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Guffarth, F; Born, H; Heitz, R; Hoffmann, A; Bimberg, D;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots in 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Influence of defects on the luminescence of Ge/Si quantum dots Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Fonseca, A; Leitao, JP ; Carmo, MC; Presting, H; Kibbel, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots in 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS, NÚMERO: 4
AUTORES: Sobolev, NA; Fonseca, A; Leitao, JP ; Carmo, MC; Presting, H; Kibbel, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots in 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Uniaxial stress study of the 1026-meV center in Si : Pt
AUTORES: Leitao, JP; Carmo, MC; Henry, MO; McGlynn, E;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 63, NÚMERO: 23
AUTORES: Leitao, JP; Carmo, MC; Henry, MO; McGlynn, E;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 63, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: 
WOS
WOS46
TÃTULO: Evaluation of the infrared absorption in nm-thick heavily boron-doped Si1-xGex layers on silicon Full Text
AUTORES: Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 3rd International Conference on Materials in Microelectronics in JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, VOLUME: 12, NÚMERO: 4-6
AUTORES: Cavaco, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Presting, H; Konig, U;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 3rd International Conference on Materials in Microelectronics in JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, VOLUME: 12, NÚMERO: 4-6
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TÃTULO: Coherent amorphization of Ge/Si multilayers with ion beams Full Text
AUTORES: Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
AUTORES: Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N; da Silva, MF; Soares, JC ; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: E-MRS Spring Meeting on Materials Science with Ion Beams in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 178, NÚMERO: 1-4
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TÃTULO: Enhanced radiation hardness of InAs/GaAs quantum dot structures Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Cavaco, A; Carmo, MC; Grundmann, M; Heinrichsdorff, F; Bimberg, D;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2000) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 224, NÚMERO: 1
AUTORES: Sobolev, NA; Cavaco, A; Carmo, MC; Grundmann, M; Heinrichsdorff, F; Bimberg, D;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2000) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, VOLUME: 224, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Enhanced radiation hardness of quantum dot lasers to high energy proton irradiation
AUTORES: Ribbat, C; Sellin, R; Grundmann, M; Bimberg, D; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 3
AUTORES: Ribbat, C; Sellin, R; Grundmann, M; Bimberg, D; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: ELECTRONICS LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 3
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TÃTULO: AC conductivity of porous silicon from Monte Carlo simulations Full Text
AUTORES: Ventura, PJ; Costa, LC ; Carmo, MC; Roman, HE; Pavesi, L;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 1st International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology (PSST 98) in JOURNAL OF POROUS MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 1-3
AUTORES: Ventura, PJ; Costa, LC ; Carmo, MC; Roman, HE; Pavesi, L;
PUBLICAÇÃO: 2000, FONTE: 1st International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology (PSST 98) in JOURNAL OF POROUS MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 1-3
