Nikolai Andreevitch Sobolev
AuthID: R-000-DJF
191
TÃTULO: Influence of ianthanides on the defect-impurity composition of GaP epitaxial layers
AUTORES: Aleshin V.D.; Brinkevich D.I.; Vabishchevich S.A.; Sobolev N.A.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Semiconductors, VOLUME: 30, NÚMERO: 5
AUTORES: Aleshin V.D.; Brinkevich D.I.; Vabishchevich S.A.; Sobolev N.A.;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Semiconductors, VOLUME: 30, NÚMERO: 5
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TÃTULO: Photoluminescence of gallium phosphide epitaxial layers doped with rare-earth elements
AUTORES: Brinkevich, DI; Vabishchevich, SA; Sobolev, NA;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Journal of Applied Spectroscopy, VOLUME: 63, NÚMERO: 2
AUTORES: Brinkevich, DI; Vabishchevich, SA; Sobolev, NA;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: Journal of Applied Spectroscopy, VOLUME: 63, NÚMERO: 2
193
TÃTULO: Exciton transitions in photoluminescence spectra of AIAs/GaAs superlattices
AUTORES: Chao Chen; Sobolev, NA; Tarasik, MI;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Journal of Applied Spectroscopy, VOLUME: 61, NÚMERO: 3-4
AUTORES: Chao Chen; Sobolev, NA; Tarasik, MI;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: Journal of Applied Spectroscopy, VOLUME: 61, NÚMERO: 3-4
194
TÃTULO: The influence of isochronous annealing upon the near-band-edge photoluminescence spectra of the electron-irradiated n-InP
AUTORES: Radautsan S.I.; Tiginyanu I.M.; Ursaki V.V.; Korshunov F.P.; Sobolev N.A.; Kudryavtseva E.A.;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 85, NÚMERO: 6
AUTORES: Radautsan S.I.; Tiginyanu I.M.; Ursaki V.V.; Korshunov F.P.; Sobolev N.A.; Kudryavtseva E.A.;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Solid State Communications, VOLUME: 85, NÚMERO: 6
195
TÃTULO: Defect- Impurity Interaction in Irradiated n-GaAs
AUTORES: Kdrshunov, FP; Prokhorenkd, TA; Sobolev, NA; Mjdriavtseva, EA;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: MRS Proceedings, VOLUME: 262
AUTORES: Kdrshunov, FP; Prokhorenkd, TA; Sobolev, NA; Mjdriavtseva, EA;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: MRS Proceedings, VOLUME: 262
196
TÃTULO: Rapid Thermal Annealing of Neutron Transmutation Toped Czochralski Silicon
AUTORES: Berezina, GM; Kdrshunov, FP; Sobolev, NA; Voevodova, AV; Stuk, AA;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: MRS Proceedings, VOLUME: 262
AUTORES: Berezina, GM; Kdrshunov, FP; Sobolev, NA; Voevodova, AV; Stuk, AA;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: MRS Proceedings, VOLUME: 262
197
TÃTULO: Luminescence studies of electron‐irradiated CuInS<inf>2</inf>
AUTORES: Aksenov I.A.; Sobolev N.A.; Sheraukhov V.A.;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 123, NÚMERO: 2
AUTORES: Aksenov I.A.; Sobolev N.A.; Sheraukhov V.A.;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 123, NÚMERO: 2
198
TÃTULO: Near-edge luminescence of irradiated silicon. The effect of the form of irradiation and of the annealing temperature
AUTORES: Korshunov, FP; Sobolev, NA; Sheraukhov, VA;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Applied Spectroscopy, VOLUME: 51, NÚMERO: 2
AUTORES: Korshunov, FP; Sobolev, NA; Sheraukhov, VA;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Applied Spectroscopy, VOLUME: 51, NÚMERO: 2
199
TÃTULO: Investigations of Radiation Damage Production in Ion Implanated Silicon
AUTORES: Glaser E.; Götz G.; Sobolev N.; Wesch W.;
PUBLICAÇÃO: 1982, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 69, NÚMERO: 2
AUTORES: Glaser E.; Götz G.; Sobolev N.; Wesch W.;
PUBLICAÇÃO: 1982, FONTE: physica status solidi (a), VOLUME: 69, NÚMERO: 2
200
TÃTULO: EPR STUDIES OF POINT DEFECT AND AMORPHOUS PHASE PRODUCTION DURING ION IMPLANTATION IN SILICON.
AUTORES: Sobolev N.A.; Goetz G.; Karthe W.; Schnabel B.;
PUBLICAÇÃO: 1979, FONTE: Radiation effects, VOLUME: 42, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Sobolev N.A.; Goetz G.; Karthe W.; Schnabel B.;
PUBLICAÇÃO: 1979, FONTE: Radiation effects, VOLUME: 42, NÚMERO: 1-2
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