Nikolai Andreevitch Sobolev
AuthID: R-000-DJF
201
TÃTULO: EPR STUDIES OF POINT DEFECT AND AMORPHOUS PHASE PRODUCTION DURING ION IMPLANTATION IN SILICON.
AUTORES: Sobolev N.A.; Goetz G.; Karthe W.; Schnabel B.;
PUBLICAÇÃO: 1979, FONTE: Radiation effects, VOLUME: 42, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Sobolev N.A.; Goetz G.; Karthe W.; Schnabel B.;
PUBLICAÇÃO: 1979, FONTE: Radiation effects, VOLUME: 42, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: ESR line share study of amorphous centres in ion implanted silicon
AUTORES: Götz, G; Karthe, W; Schnabel, B; Sobolev, N;
PUBLICAÇÃO: 1978, FONTE: Physica Status Solidi (a), VOLUME: 50, NÚMERO: 2
AUTORES: Götz, G; Karthe, W; Schnabel, B; Sobolev, N;
PUBLICAÇÃO: 1978, FONTE: Physica Status Solidi (a), VOLUME: 50, NÚMERO: 2
