Reinhard Horst Schwarz


AuthID: R-000-F9H

Publicações a aguardar confirmação

61
TÍTULO: Ambipolar diffusion coefficients in a-SiC:H alloys in steady-state and transient grating measurements
AUTORES: Weinert, H; Petrauskas, M; Kolenda, J; Galeckas, A; Wang, F; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 297
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62
TÍTULO: Steady-state photocarrier grating technique applied to a-Si:H thin film transistors
AUTORES: Wang, F; Reissner, M; Fischer, T; Grebner, S; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the MRS Spring Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 297
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
63
TÍTULO: CPM-characterization of light and current stressed a-Si:H diodes with nin, pip, and pin structures  Full Text
AUTORES: Ostendorf, HC; Schwarz, R; Kusian, W; Kruhler, W;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Proceedings of the 23rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
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NO MEU: ORCID
64
TÍTULO: Change transport along and across a-Si:H/a-SiC:H multilayers  Full Text
AUTORES: Arlauskas, K; Juska, G; Schwarz, R; Fischer, T;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
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NO MEU: ORCID
65
TÍTULO: Characterization of optoelectronic properties of a-Si1-xCx:H films  Full Text
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
66
TÍTULO: Light and current degradation of a-Si:H pin, nin and pip diodes detected with CPM  Full Text
AUTORES: Ostendorf, HC; Kusian, W; Kruhler, W; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 2
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NO MEU: ORCID
67
TÍTULO: Fermi level dependence of the ambipolar diffusion length in amorphous silicon thin film transistors  Full Text
AUTORES: Schwarz, R; Wang, F; Reissner, M;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 63, NÚMERO: 8
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NO MEU: ORCID
68
TÍTULO: Temperature dependence of radiative and non-radiative lifetimes in hydrogenated amorphous silicon  Full Text
AUTORES: Muschik, T; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus
NO MEU: ORCID
69
TÍTULO: High-temperature annealing behavior of μτ products of electrons and holes in a-Si:H  Full Text
AUTORES: Wang, F; Schwarz, R;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
NO MEU: ORCID
70
TÍTULO: Interdiffusion in amorphous Si/SiC multilayers  Full Text
AUTORES: Kolodzey, J; Hanesch, P; Fischer, T; Schwarz, R; Zorn, G; Gobel, H;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: Materials Science and Engineering B, VOLUME: 11, NÚMERO: 1-4
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NO MEU: ORCID
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