361
TÍTULO: Mass spectrometric study of aliphatic alpha-carbonyl azides  Full Text
AUTORES: Duarte, MF ; Martins, F; Fernandez, MT ; Langley, GJ; Rodrigues, P; Barros, MT ; Costa, ML ;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: RAPID COMMUNICATIONS IN MASS SPECTROMETRY, VOLUME: 17, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
362
TÍTULO: Polymorphous Silicon Films Deposited at 27.12 MHz
AUTORES: Martins, R; Aguas, H; Ferreira, I; Fortunato, E ; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Guimaraes, L;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Advanced Materials, VOLUME: 15, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: Scopus
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363
TÍTULO: Polymorphous silicon deposited in large area reactor at 13 and 27 MHz  Full Text
AUTORES: Águas, H; Roca i Cabarrocas, P; Lebib, S; Silva, V; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
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364
TÍTULO: Influence of the deposition pressure on the properties of transparent and conductive ZnO:Ga thin-film produced by r.f. sputtering at room temperature  Full Text
AUTORES: Assunção, V; Fortunato, E ; Marques, A; Águas, H; Ferreira, I; M.E.V Costa; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
365
TÍTULO: Spectroscopic ellipsometry study of amorphous silicon anodically oxidised  Full Text
AUTORES: Águas, H; Gonçalves, A; Pereira, L ; Silva, R; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
366
TÍTULO: New challenges on gallium-doped zinc oxide films prepared by r.f. magnetron sputtering  Full Text
AUTORES: Vitor Assunção; Elvira Fortunato ; António Marques; Alexandra Gonçalves; Isabel Ferreira; Hugo Águas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 442, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
367
TÍTULO: Large Area Deposition of Polymorphous Silicon by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition at 27.12 MHz and 13.56 MHz
AUTORES: Águas, H; Silva, V; Fortunato, E ; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Ferreira, I; Guimarães, L; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Jpn. J. Appl. Phys. - Japanese Journal of Applied Physics, VOLUME: 42, NÚMERO: Part 1, No. 8
INDEXADO EM: CrossRef
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368
TÍTULO: Photoluminescence excitation spectroscopy of InGaN epilayers  Full Text
AUTORES: White, ME; O'Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S ; Deatcher, CJ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
369
TÍTULO: Splitting of X-ray diffraction and photoluminescence peaks in InGaN/GaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Martin, RW; White, ME; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12
370
TÍTULO: Optical and photoelectric properties of PZT films for microelectronic applications
AUTORES: Kholkin, AL ; Iakovlev, S; Fortunato, E ; Martins, R; Ferreira, I ; Shvartsman, V; Baptista, JL;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: 1st International Materials Symposium (Materials 2001) in ADVANCED MATERIALS FORUM I, VOLUME: 230-2
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