Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
451
TÃTULO: PERFORMANCES PRESENTED BY A POSITION-SENSITIVE DETECTOR BASED ON AMORPHOUS-SILICON TECHNOLOGY
AUTORES: FORTUNATO, E ; VIEIRA, M; CARVALHO, CN ; LAVAREDA, G; MARTINS, R; SOARES, F; FERREIRA, L;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: International Symposium on Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Application 2 in PHYSICAL CONCEPTS AND MATERIALS FOR NOVEL OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS II: INTERNATIONAL SYMPOSIUM, VOLUME: 1985
AUTORES: FORTUNATO, E ; VIEIRA, M; CARVALHO, CN ; LAVAREDA, G; MARTINS, R; SOARES, F; FERREIRA, L;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: International Symposium on Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Application 2 in PHYSICAL CONCEPTS AND MATERIALS FOR NOVEL OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS II: INTERNATIONAL SYMPOSIUM, VOLUME: 1985
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WOS NO MEU: 
ORCID | ResearcherID
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TÃTULO: Tailoring defects on amorphous silicon pin devices Full Text
AUTORES: Martins, R; Fantoni, A; Vieira, M;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166
AUTORES: Martins, R; Fantoni, A; Vieira, M;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166
453
TÃTULO: Material properties, project design rules and performances of single and dual-axis a-Si:H large area position sensitive detectors Full Text
AUTORES: Fortunato, E; Vieira, M; Lavareda, G; Ferreira, L; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166
AUTORES: Fortunato, E; Vieira, M; Lavareda, G; Ferreira, L; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166
454
TÃTULO: <title>Temperature and light-induced degradation effect on a-Si:H photovoltaic PIN device properties</title>
AUTORES: Manuela Vieira; Elvira Fortunato; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Fernando Soares; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
AUTORES: Manuela Vieira; Elvira Fortunato; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Fernando Soares; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
455
TÃTULO: <title>Performances presented by a position-sensitive detector based on amorphous silicon technology</title>
AUTORES: Elvira Fortunato; Manuela Vieira; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Rodrigo Martins; Fernando Soares; Luis A A Ferreira;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
AUTORES: Elvira Fortunato; Manuela Vieira; Carlos N Carvalho; Guilherme Lavareda; Rodrigo Martins; Fernando Soares; Luis A A Ferreira;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Physical Concepts and Materials for Novel Optoelectronic Device Applications II
456
TÃTULO: Role of Photodegradation on the \x03C4;Product and Microstructure of the a-Si:H Pin Devices
AUTORES: Vieira, M; Fortunato, E; Lavareda, G; C.N Carvalho; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
AUTORES: Vieira, M; Fortunato, E; Lavareda, G; C.N Carvalho; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
457
TÃTULO: Large Area Position Sensitive Detector Based on Amorphous Silicon Technology
AUTORES: Fortunato, E; Vieira, M; Ferreira, L; C.N Carvalho; Lavareda, G; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
AUTORES: Fortunato, E; Vieira, M; Ferreira, L; C.N Carvalho; Lavareda, G; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MRS Proc. - MRS Proceedings, VOLUME: 297
458
TÃTULO: A thin SiO layer as a remedy for the indium reduction at the In2O3/μc-Si:C:H interface Full Text
AUTORES: J.M.M de Nijs; Carvalho, C; Santos, M; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
AUTORES: J.M.M de Nijs; Carvalho, C; Santos, M; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
459
TÃTULO: A-Si:H ambipolar diffusion length and effective lifetime measured by flying spot (FST) and spectral photovoltage (SPT) techniques Full Text
AUTORES: Vieira, M; Martins, R; Fortunato, E; Soares, F; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
AUTORES: Vieira, M; Martins, R; Fortunato, E; Soares, F; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
460
TÃTULO: Engineering of plasma deposition systems used for producing large area a-Si:H devices Full Text
AUTORES: Martins, R; Ferreira, I; Carvalho, N; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
AUTORES: Martins, R; Ferreira, I; Carvalho, N; Guimarães, L;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 137-138
