Sérgio Manuel de Sousa Pereira
AuthID: R-000-GF5
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TÃTULO: Comment on "Direct evidence of nanocluster-induced luminescence in InGaN epifilms" [Appl. Phys. Lett. 86, 021911 (2005)] Full Text
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR ; Alves, E ; O'Donnell, KP; Chang, HJ; Chen, CH; Chen, YF; Lin, TY; Chen, LC; Chen, KH; Lan, ZH;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 87, NÚMERO: 13
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR ; Alves, E ; O'Donnell, KP; Chang, HJ; Chen, CH; Chen, YF; Lin, TY; Chen, LC; Chen, KH; Lan, ZH;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 87, NÚMERO: 13
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TÃTULO: Role of annealing environment on the performances of large area ITO films produced by rf magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Canhola, P; Martins, N; Raniero, L; Pereira, S; Fortunato, E ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th International Conference on Polycrystalline Semiconductors in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 487, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Canhola, P; Martins, N; Raniero, L; Pereira, S; Fortunato, E ; Ferreira, I ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 8th International Conference on Polycrystalline Semiconductors in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 487, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Spectral response of large area amorphous silicon solar cells
AUTORES: Raniero, L; Martins, N; Canhola, P; Pereira, S; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
AUTORES: Raniero, L; Martins, N; Canhola, P; Pereira, S; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Occurrence of 'accidental' InN quantum dots in indium gallium nitride/gallium nitride heterostructures
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; White, ME; Pereira, S; Mosselmans, JFW; Tobin, MJ; Grandjean, N; Damilano, B;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Quantum Confined Semiconductor Nanostructures in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 737
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; White, ME; Pereira, S; Mosselmans, JFW; Tobin, MJ; Grandjean, N; Damilano, B;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Quantum Confined Semiconductor Nanostructures in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 737
INDEXADO EM: 
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ORCID65
TÃTULO: In K-edge extended X-ray absorption fine structure of InGaN epilayers and quantum boxes Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; White, ME; Pereira, S; Mosselmans, JFW; Grandjean, N; Damilano, B; Massies, J;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
AUTORES: O'Donnell, KP; White, ME; Pereira, S; Mosselmans, JFW; Grandjean, N; Damilano, B; Massies, J;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, VOLUME: 93, NÚMERO: 1-3
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TÃTULO: Comment on: Low Stokes shift in thick and homogeneous InGaN epilayers(Appl. Phys. Lett. (2002) 80 550))
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
AUTORES: O'Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus
Scopus67
TÃTULO: Erratum: “Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers” [Appl. Phys. Lett. 79, 1432 (2001)] Full Text
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; O’Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; O’Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 80, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Comment on “Low Stokes shift in thick and homogeneous InGaN epilayers” [Appl. Phys. Lett. 80, 550 (2002)] Full Text
AUTORES: O’Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
AUTORES: O’Donnell, KP; Martin, RW; Pereira, S;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 81, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Autoregulation allows Escherichia coli RNase E to adjust continuously its synthesis to that of its substrates. Synthesis of RNase E fits that of its substrates Full Text
AUTORES: Sousa, S; Marchand, I; Dreyfus, M;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: MOLECULAR MICROBIOLOGY, VOLUME: 42, NÚMERO: 3
AUTORES: Sousa, S; Marchand, I; Dreyfus, M;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: MOLECULAR MICROBIOLOGY, VOLUME: 42, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Strain and compositional analysis of InGaN/GaN layers
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Alves, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
AUTORES: Pereira, S; Correia, MR; Pereira, E; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Alves, E; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
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