Virginia Chu


AuthID: R-000-HJ2

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171
TÍTULO: Carrier lifetime in amorphous semiconductors  Full Text
AUTORES: Shen, DS; Conde, JP; Chu, V; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 75, NÚMERO: 11
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172
TÍTULO: ANNEALING KINETICS OF A-SI-H DEPOSITED BY CONCENTRIC-ELECTRODE RF GLOW-DISCHARGE AT ROOM-TEMPERATURE  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHAN, KK; BLUM, JM; ARIENZO, M; MONTEIRO, PA; FERREIRA, JA; CHU, V; WYRSH, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ORCID
173
TÍTULO: Annealing kinetics of a-Si:H deposited by concentric-electrode rf glow discharge at room temperature  Full Text
AUTORES: Conde, JP; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Monteiro, PA; Ferreira, JA; Chu, V; Wyrsh, N;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 73, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: CrossRef
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174
TÍTULO: Response time measurements in microcrystalline silicon
AUTORES: Schwarz, R; Wang, F; Grebner, S; Fischer, T; Koynov, S; Chu, V; Brogueria, P; Conde, J;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166
INDEXADO EM: CrossRef: 6
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175
TÍTULO: AMORPHOUS-SILICON GERMANIUM THIN-FILM PHOTODETECTOR ARRAY
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V; ALJISHI, S; LIU, JZ; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
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176
TÍTULO: Amorphous silicon-germanium thin-film photodetector array
AUTORES: D.S Shen; J.P Conde; Chu, V; Aljishi, S; J.Z Liu; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: IEEE Electron Device Lett. - IEEE Electron Device Letters, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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177
TÍTULO: OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON FILMS DEPOSITED UNDER NEGATIVE SUBSTRATE BIAS  Full Text
AUTORES: CABARROCAS, PRI; MORIN, P; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ; PARK, HR; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS
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178
TÍTULO: In situ ellipsometric study of amorphous silicon/amorphous silicon-carbon interfaces  Full Text
AUTORES: Chu, V; Fang, M; Drevillon, B;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
NO MEU: ORCID
179
TÍTULO: An in situ ellipsometry study of amorphous silicon/amorphous germanium multilayers  Full Text
AUTORES: Chu, V; Fang, M; Drevillon, B;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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180
TÍTULO: Growth-induced surface state in hydrogenated and fluorinated amorphous silicon  Full Text
AUTORES: Maruyama, A; Liu, JZ; Chu, V; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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