Virginia Chu
AuthID: R-000-HJ2
181
TÃTULO: Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
182
TÃTULO: Improving tin oxide/hydrogenated amorphous silicon interfaces for solar cell applications Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Ramprashad, S; Liu, JZ; Chu, V; Maruyama, A; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: Twenty First IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1990 Part 2 (of 2) in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 2
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Ramprashad, S; Liu, JZ; Chu, V; Maruyama, A; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: Twenty First IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1990 Part 2 (of 2) in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 2
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus NO MEU: 
ORCID
ORCID183
TÃTULO: A-SI-H,F-REVERSIBLE-A-SI,GE-H,F GRADED-BANDGAP STRUCTURES
AUTORES: CONDE, JP; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: INTERNATIONAL TOPICAL CONF ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DEVICES AND TECHNOLOGY in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
AUTORES: CONDE, JP; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: INTERNATIONAL TOPICAL CONF ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DEVICES AND TECHNOLOGY in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus 
WOS
Scopus WOS NO MEU: ORCID
ORCID184
TÃTULO: BREAKING THE ISOTROPY OF AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOYS - GRADED-BANDGAP AND SAWTOOTH SUPERLATTICE STRUCTURES Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: Pt2
AUTORES: CONDE, JP ; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: Pt2
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS NO MEU: ORCID
ORCID185
TÃTULO: ELECTRON-TRANSPORT IN A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
AUTORES: CONDE, JP ; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS NO MEU: ORCID
ORCID186
TÃTULO: PHOTOCURRENT COLLECTION IN A SCHOTTKY-BARRIER ON AN AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOY STRUCTURE WITH 1.23 EV OPTICAL GAP Full Text
AUTORES: CHU, V; CONDE, JP ; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
AUTORES: CHU, V; CONDE, JP ; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS NO MEU: ORCID
ORCID187
TÃTULO: THE OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF A-SI,GE-H(F) ALLOYS Full Text
AUTORES: WAGNER, S; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: PART 2
AUTORES: WAGNER, S; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
Scopus WOS NO MEU: ORCID
ORCID188
TÃTULO: Bulk and surface properties of amorphous hydrogenated fluorinated silicon grown from SiF4 and H2
AUTORES: Maruyama, A; Shen Dashen, S; Virginia Chu; Liu, JZ; Campbell, I; Fauchet Phillipe, M; Sigurd Wagner;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: International Topical Conference on Hydrogenated Amorphous Silicon Devices and Technology in IEEE Transactions on Electron Devices, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
AUTORES: Maruyama, A; Shen Dashen, S; Virginia Chu; Liu, JZ; Campbell, I; Fauchet Phillipe, M; Sigurd Wagner;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: International Topical Conference on Hydrogenated Amorphous Silicon Devices and Technology in IEEE Transactions on Electron Devices, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
189
TÃTULO: Thermal relaxation of the electric conductivity in amorphous silicon-germanium alloys
AUTORES: Liu, JZ; Chu, V; Shen, DS; Slobodin, D; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 40, NÚMERO: 9
AUTORES: Liu, JZ; Chu, V; Shen, DS; Slobodin, D; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Physical Review B, VOLUME: 40, NÚMERO: 9
190
TÃTULO: The optoelectronic properties of a-Si, Ge:H(F) alloys Full Text
AUTORES: Wagner, S; Chu, V; J.P Conde; J.Z Liu;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 114
AUTORES: Wagner, S; Chu, V; J.P Conde; J.Z Liu;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 114
