Vitor José Babau Torres
AuthID: R-000-HKG
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TÃTULO: Phonon-based partition of (ZnSe-like) semiconductor mixed crystals on approach to their pressure-induced structural transition
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Torres, VJB; Polian, A; Itie, JP; Pradhan, GK; Narayana, C; Rao, MN; Rao, R; Gardiennet, C; Kervern, G; Strzalkowski, K; Firszt, F;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 10, NÚMERO: 1
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Torres, VJB; Polian, A; Itie, JP; Pradhan, GK; Narayana, C; Rao, MN; Rao, R; Gardiennet, C; Kervern, G; Strzalkowski, K; Firszt, F;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 10, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Multi-phonon (percolation) behavior and local clustering of CdxZn1-xSe-cubic mixed crystals (x <= 0.3): A Raman-ab initio study
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Dicko, H; Torres, VJB; Postnikov, AV; Polian, A; Firszt, F; Strzalkowski, K; Naciri, AE; Broch, L; Rao, MN; Rao, R; Maillard, A; Itie, JP;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 126, NÚMERO: 10
AUTORES: Shoker, MB; Pages, O; Dicko, H; Torres, VJB; Postnikov, AV; Polian, A; Firszt, F; Strzalkowski, K; Naciri, AE; Broch, L; Rao, MN; Rao, R; Maillard, A; Itie, JP;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 126, NÚMERO: 10
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TÃTULO: Double negatively charged carbon vacancy at the h- and k-sites in 4H-SiC: Combined Laplace-DLTS and DFT study
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Pastuovic, Z; Siegele, R; Ohshima, T; Sato, S; Makino, T; Snoj, L; Radulovic, V; Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
AUTORES: Capan, I; Brodar, T; Pastuovic, Z; Siegele, R; Ohshima, T; Sato, S; Makino, T; Snoj, L; Radulovic, V; Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 123, NÚMERO: 16
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TÃTULO: Deep level defects in 4H-SiC epitaxial layers
AUTORES: Ivana Capan; Tomislav Brodar; Takeshi Ohshima; Shin Ichiro Sato; Takahiro Makino; Željko Pastuović; Rainer Siegele; Luka Snoj; Vladimir Radulović; José Coutinho; Vitor J B Torres; Kamel Demmouche;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 924 MSF
AUTORES: Ivana Capan; Tomislav Brodar; Takeshi Ohshima; Shin Ichiro Sato; Takahiro Makino; Željko Pastuović; Rainer Siegele; Luka Snoj; Vladimir Radulović; José Coutinho; Vitor J B Torres; Kamel Demmouche;
PUBLICAÇÃO: 2018, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 924 MSF
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TÃTULO: A first-principles model of copper-boron interactions in Si: implications for the light-induced degradation of solar Si
AUTORES: Wright, E; Coutinho, J; Oberg, S; Torres, VJB;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 29, NÚMERO: 6
AUTORES: Wright, E; Coutinho, J; Oberg, S; Torres, VJB;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, VOLUME: 29, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Clustering/anticlustering effects on the GeSi Raman spectra at moderate (Ge,Si) contents: Percolation scheme vs. ab initio calculations
AUTORES: Torres, VJB; Hussein, RH; Pages, O; Rayson, MJ;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 121, NÚMERO: 8
AUTORES: Torres, VJB; Hussein, RH; Pages, O; Rayson, MJ;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 121, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Theory of the carbon vacancy in 4H-SiC: Crystal field and pseudo-Jahn-Teller effects
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 96, NÚMERO: 17
AUTORES: Coutinho, J; Torres, VJB; Demmouche, K; Oberg, S;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 96, NÚMERO: 17
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TÃTULO: Mossbauer parameters of Fe-related defects in group-IV semiconductors: First principles calculations Full Text
AUTORES: Wright, E; Coutinho, J; Oberg, S; Torres, VJB;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 18
AUTORES: Wright, E; Coutinho, J; Oberg, S; Torres, VJB;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 28th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS) in JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Delamination in composite materials: Measurement, assessment and prediction
AUTORES: Babu, J; Philip, J; Zacharia, T; Davim, JP;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: Machinability of Fibre-Reinforced Plastics, VOLUME: 4
AUTORES: Babu, J; Philip, J; Zacharia, T; Davim, JP;
PUBLICAÇÃO: 2015, FONTE: Machinability of Fibre-Reinforced Plastics, VOLUME: 4
INDEXADO EM: 
Scopus
Scopus20
TÃTULO: Hydrogen passivation of titanium impurities in silicon: Effect of doping conditions Full Text
AUTORES: Santos, P; Coutinho, J; Torres, VJB; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 3
AUTORES: Santos, P; Coutinho, J; Torres, VJB; Rayson, MJ; Briddon, PR;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 3
